在口径上选用等效“磁流”，简正波型与切向磁场相耦 合 当口径有磁壁封闭，简正波型E1、H1由左入射，激励了 散射场Es、Hs “磁流” E。、H E1、H1 Z
在口径上选用等效“磁流”，简正波型与切向磁场相耦 合 当口径有磁壁封闭，简正波型E1、H1由左入射，激励了 散射场Es、Hs E1、H1 Z “磁流” Es、Hs
总的电磁场在口径Sa的磁壁上，满足如下边界条件： nxi、=-nxi1orn×(Hs+H)=0 nE=-n.E or-(E。+Ei）=0 口径Sa E、H E1、H1 Z 由于Sa上的法向磁场和切向电场不等于零，于是Sa上就 有等效磁荷和磁流分布： Pm=Mon.Hs Jm=-nxEs
总的电磁场在口径Sa的磁壁上，满足如下边界条件： 由于Sa上的法向磁场和切向电场不等于零，于是Sa上就 有等效磁荷和磁流分布： n H H s 1 0 n E n E s 1 n E E s 1 0 or or n H n H s 1 0 m n H s E1、H1 Z 口径Sa Es、Hs J n E m s