第五章多原子分子的结构和性质 ●多原子分子的结构包括两方面内容 (1)组成分子的原子在三维空间的排布次序、相对位置, 通常由键长、键角、扭角等参数描述构型和构象。分子的 几何结构可用衍射方法(包括Ⅹ射线衍射、电子衍射和中 子衍射)测定。 (2)分子的电子结构、化学键型式和相关的能量参数,通 常由分子轨道的组成、性质、能级高低和电子排布描述。分 子的电子结构可用谱学方法(包括分子光谱、电子能谱和 磁共振谱等)测定
● 多原子分子的结构包括两方面内容： （1）组成分子的原子在三维空间的排布次序、相对位置， 通常由键长、键角、扭角等参数描述构型和构象。分子的 几何结构可用衍射方法（包括 X 射线衍射、电子衍射和中 子衍射）测定。 （2）分子的电子结构、化学键型式和相关的能量参数，通 常由分子轨道的组成、性质、能级高低和电子排布描述。分 子的电子结构可用谱学方法（包括分子光谱、电子能谱和 磁共振谱等）测定。 第五章 多原子分子的结构和性质
51价电子对互斥理论( VSEPR) VSEPR: Valence shell electronic pair repelling 1940年提出,用来解释许多化合物的几何构型。 价电子对 成键电子对(bp) 孤对电子对(lp) 价电子对互斥理论认为: 原子周围各个价电子对之间由于互相排斥作用, 在键长一定的条件下,相互间距离愈远愈稳定
5.1 价电子对互斥理论（VSEPR） • 价电子对 ·成键电子对（bp） ·孤对电子对（lp） • 价电子对互斥理论认为： 原子周围各个价电子对之间由于互相排斥作用， 在键长一定的条件下，相互间距离愈远愈稳定。 • VSEPR :Valence shell electronic pair repelling 1940年提出，用来解释许多化合物的几何构型
价电子对之间排斥力的根源 1.是各电子对之间的静电排斥力; 2.是Paui斥力,即价电子对之间自旋相同的电子互相回避 的效应。 判断分子几何构型考虑的因素: 中心原子周围存在m个配位体L及n个孤对电子对E时, 根据斥力效应应考虑: 1.多重键中多对电子集中在同一键区可作一个键处理; 2.孤对电子空间分布的肥大性; 3.电负性大小
·价电子对之间排斥力的根源 1. 是各电子对之间的静电排斥力； 2. 是Pauli 斥力，即价电子对之间自旋相同的电子互相回避 的效应。 ·判断分子几何构型考虑的因素： 中心原子周围存在m个配位体L及n个孤对电子对E时， 根据斥力效应应考虑： 1. 多重键中多对电子集中在同一键区可作一个键处理； 2. 孤对电子空间分布的肥大性； 3. 电负性大小
判断分子几何构型的规则: 1.为使价电子对间斥力最小,可将价电子对看作等距离地排 布在同一个球面上,形成规则的多面体形式。 ★当m+n=2时,分子为直线形; ★当m+n=3时,分子为三角形; ★当m+n=4时,分子为四面体形; ★当m+n=5时,分子为三方双锥形; ★当m+n=6时,分子为八面体形。 2.中心原子A与m个配位体L之间所形成的键可能是单键, 双键或三键等多重键。双键和三键可按一个键区计算原子间 的斥力,但电子多空间大,斥力也大, 定性顺序为: ★三键一三键>三键一双键>双键一双键>双键一单键>单键一单键
• 判断分子几何构型的规则： 1. 为使价电子对间斥力最小，可将价电子对看作等距离地排 布在同一个球面上，形成规则的多面体形式。 ★ 当m+n=2 时，分子为直线形； ★ 当m+n=3 时，分子为三角形； ★ 当m+n=4 时，分子为四面体形； ★ 当m+n=5 时，分子为三方双锥形； ★ 当m+n=6 时，分子为八面体形。 2. 中心原子A 与 m 个配位体 L 之间所形成的键可能是单键， 双键或三键等多重键。双键和三键可按一个键区计算原子间 的斥力，但电子多空间大，斥力也大， 定性顺序为： ★ 三键 — 三键 >三键 — 双键 >双键 — 双键 >双键 — 单键 >单键 — 单键
用 VSEPR方法判断原子A周围配位体和孤对电子对的空间排布 ALE L-A-L 大,只 L L L L ② L A L L L L L L L L
用VSEPR方法判断原子A周围配位体和孤对电子对的空间排布 ALmEn