A ejo, μdt In= L 2+k,=0 dt2 0=k品/ k.们E豆.w+是∬H…月.m-a× → +u先=-a×月如=0 → kP。+j0urm=0 Pn = j0业r E=∑p.E。+∑q月 i=∑ri。+∑sG
2 2 2 2 2 2 0 0 m m m m m m d p k p dt d r k r dt m m j t m m j t m m p A e r B e 2 2 / m m k ( ) m m m m S dr k p ds dt n E H 0 0 / m m m m j p r jZ k Z （ )=- ( ) m m m m V V S k dv dv ds t E E H H n E H 0 m m m m m m m k p j r j p r k 0 m m n n m n m m n n m n p q F r s = = E E H H G
(2)有腔壁损耗时的谐振腔 假设：谐振腔内没有体源J与印，也没有外界的激励。 谐振腔是由非理想导电壁S包围而成，在S上有 n×E≠0， H≠0 在S表面有一个小的电场切向分量 E,=Z J nxE=Zmn×J=ZmH 其中Z为表面阻抗：乙n=(1+)R,R。=1 对于一个良导体，R很小，在计算时，腔壁处磁场的切 向分量仍用壁上无耗时的值
（2）有腔壁损耗时的谐振腔 假设：谐振腔内没有体源 J与 ，也没有外界的激励。 谐振腔是由非理想导电壁S包围而成，在S上有 在S表面有一个小的电场切向分量 对于一个良导体，Rm很小，在计算时，腔壁处磁场的切 向分量仍用壁上无耗时的值。 n E n H 0, 0 t m m m t E Z J n E Z n J Z H 1 (1 ) , Z Z j R R m m m m 其中 为表面阻抗：
根据前面得出的 k.j川B-Gd=小yBid HG=∬g.iidk →飞$n=j∬niid 由于H很小，S很小，可略去S,即略去无旋场 ck,4。=e∬Bik-Jjp4, S=0,p=0,qn=0,即无旋电场不存在（假定腔中不允许P,存在）
根据前面得出的 n n n V S n n n V S k B G dv B nds k H G dv H nds n n n S k S H ndv 由于H n S S 很小， n n 很小，可略去 即略去无旋场 ' n n n n S V k q E nds dv ' 0 0, 0, 0 F n S q ，即无旋电场不存在（假定腔中不允许 存在）
假定场有因子eo,由(3.2.46)有 jown+kpn=-j「Zi,Hndk=-Znj∬i-Hndk joPn=kFm 联立求解上面两式，得 j08 In=k2-ki ∬i.H,k 研究频率接近无耗时的第m次振荡，则H≈ri,im为实数，有 a.As川Adk
联立求解上面两式，得 研究频率接近无耗时的第m次振荡，则 ，有 j z e 假定场有因子 ，由（3.2.46）有 m m m m t m m m S S j r k p Z H H ds Z H H ds m m m j p k r m m n 2 2 m S j r Z H H ds k k , H r H H m m m为实数 2 m m m S S H H ds r H ds
第m次模在腔壁上的损耗功率为 n.=R-JSkr-4-fds 第m次模的电磁储能为 w=24.H.f 归一化 第m次模的品质因数为 (u2Xft em= R.SSiH ds → Rm Hs→H.fs=“ R.O
第m次模在腔壁上的损耗功率为 第m次模的电磁储能为 第m次模的品质因数为 归一化 1 2 2 L m m m S P R r H ds 1 2 2 m m V W r H dv 2 2 ( 2) 1 2 m m m V m m m m S r H dv Q R r H ds 2 m 1 m m m m S Q R r H ds 2 m m S m m H ds R Q