导波场论 jE×E)ids-)jE×H)-ids=2jow-m.) 讨论E波， 答题： E.=[k2+y2]efo-r= A、>0 Er=-w g.eiou-r: B、<0 H,=joceV,×(i,e） C、=0 j-jouykie m1-ds=j2ow。-,） 有 →形-形.=4ke1-emas>0 1 结论：对于E型调落波 在一段波导内，平均电场储能大于兹场储能
导 波 场 论 讨论E波， 1 1 1 2 2 2 2 (1 ) 4 z l e m c s W W k e e ds 结论：对于E型凋落波 在一段波导内，平均电场储能大于磁场储能。 1 2 1 1 * * ( ) ( ) 2 ( ) 2 2 t t z t t z m e s s E H i ds E H i ds j W W 有 2 2 [ ] ( ) j t z z j t z t t j t z t t z E k e E e H j e i e 1 1 1 2 2 2 2 (1 ) 2 ( ) 2 z l c m e s j k e e ds j W W 0 答题： A、>0 B、<0 C、=0
导波场论 jE×H)-ids-)jE×E)ids=2jow。-用.) 讨论H波， H.=(k2+y2)w(g,92)eo- E,=+j0ui:×V,Πme H,=-N,w(q,92)eo- 有 2 iouyKc2m1-e2∬gs=2og,-形) →形。-佛=4gre1-e小w>0 结论：对于H型雕落波， 在一段波导内，平均磁场储能大于电场储能
导 波 场 论 讨论H波， 1 2 1 1 * * ( ) ( ) 2 ( ) 2 2 t t z t t z m e s s E H i ds E H i ds j W W 有 0 2 2 1 2 1 2 ( ) ( , ) ( , ) j t z z j t t z t mz j t z t t H k q q e E j i e H q q e 1 1 1 2 2 2 2 (1 ) 2 ( ) 2 z l c m e s j k e e ds j W W 1 1 1 2 2 2 2 (1 ) 4 z l m e c s W W k e e ds 结论：对于H型雕落波， 在一段波导内，平均磁场储能大于电场储能
导波场论 2.5波导的损耗 「1.导波系统内介质损耗 导波系统内损耗 2.导波系统管壁由于金属的非理想 导电性引起的损耗 (1)介质损耗 当导波系统中填充介质的导电率不为零，即填充均匀有损介 质时，波数k将是一个复数。 导波系统中的电磁波在传播过程中伴随着衰减 分析方法与平面波衰减的分析相同
导 波 场 论 2.5 波导的损耗 导波系统内损耗 1. 导波系统内介质损耗 2. 导波系统管壁由于金属的非理想 导电性引起的损耗 (1)介质损耗 当导波系统中填充介质的导电率不为零，即填充均匀有损介 质时，波数 k 将是一个复数。 导波系统中的电磁波在传播过程中伴随着衰减 分析方法与平面波衰减的分析相同
导波场论 2.5波导的损耗-介质损耗 波导系统内填充有均匀的各向同性的介质，介质有损耗， 介质的复介电常数为： 或8=8'(1-jtg6) 其中gδ为介质的损耗角正切，对损耗介质介质，8δ<1 讨论 k2=k2+y2 k2=02 >为复数 ,为亥姆霍兹方程的特征值，为非负实数 因此，Y必为复数传播常数 Y=a+jB
导 波 场 论 2.5波导的损耗-介质损耗 波导系统内填充有均匀的各向同性的介质，介质有损耗， 介质的复介电常数为： (1 ) j j 或 (1 ) jtg 其中 tg 为介质的损耗角正切，对损耗介质介质， tg 1 讨论 2 2 2 c k k KC为亥姆霍兹方程的特征值，为非负实数 j 2 2 k = 为复数 因此，γ必为复数传播常数
导波场论 由k2=k2+y2 r=a+jB k2=024 有y2（a+p-3 &2-o2ue'(1-jgδ) 当a≤时 -B2+2jaB k2-@'ue'+jo"ue'tgo B2=o2ue'-k月 la-s 2ue'tgδ 2β 此时，波导内的场沿传播方向指数衰减：ez
导 波 场 论 2 2 2 2 = c j k k 2 2 2 2 2 c k tg 此时,波导内的场沿传播方向指数衰减： z e 2 2 2 2 2 c j k j tg 由 2 2 2 c k k j 2 2 k = 有 2 2 (1 ) c k jtg 当 时