图示 0000e000e00c·e0···e●00000000·0ee00000e000e●。e●·。e0e0ee。00e0.0e000e·。·0e Fe3+ Fe3+ 第二吸附层 SO SO S02 第一吸附层 -Ba2+-S0—Ba2+—S0}-Ba2+- 表面 沉淀内部 —S0-Ba2+—S02—Ba2+—S02 1 Ba2+-S0—Ba2+-S0-Ba24 S02-Ba2+-S0?一Ba2+-S0 BaSO,晶体表面吸附示意图（过量S0沉淀Ba+) 沉淀表面形成双电层： >吸附层一 吸附剩余构晶离子SO >扩散层一吸附阳离子或抗衡离子F®3+ 6
图示 沉淀表面形成双电层： ➢ 吸附层——吸附剩余构晶离子SO4 2- ➢ 扩散层——吸附阳离子或抗衡离子Fe3+ 6
影响吸附杂质的量的因素： 1)沉淀的总表面积 总表面积越大，吸附杂质越多 2)溶液的温度 温度升高，吸附量减少（吸附作用是放热过程）
7 影响吸附杂质的量的因素： 1) 沉淀的总表面积 总表面积越大，吸附杂质越多 2) 溶液的温度 温度升高，吸附量减少（吸附作用是放热过程）
(2) 混晶和异形混晶 溶液中杂质离子与构晶离子半径相近，电子 结构相似，并形成相同的晶体结构，则会生成混 晶。 如：Pb2+离子取代BaS0,晶体中的Ba2+。 常见混晶： BaSO,和PbS04、AgCI和AgBr MgNH PO6H2OMgNHAsO6H2O 81
8 (2) 混晶和异形混晶 溶液中杂质离子与构晶离子半径相近，电子 结构相似，并形成相同的晶体结构，则会生成混 晶。 如：Pb2+离子取代BaSO4晶体中的Ba2+ 。 常见混晶： BaSO4和PbSO4、AgCl和AgBr、 MgNH4PO4·6H2O和MgNH4AsO4·6H2O
杂质盐类和晶体有相同的化学式（如ABO4),离 子体积大致相同（电荷可能不同），则会形成异 形混晶。（杂质离子或原子并不位于正常晶格的 离子或原子位置上，而是位于晶格的空隙中) 化学形式相同：KMnO,和BaSO4 离子大小相近：LaF3和CaF2 9
9 杂质盐类和晶体有相同的化学式（如ABO4），离 子体积大致相同（电荷可能不同），则会形成异 形混晶。（杂质离子或原子并不位于正常晶格的 离子或原子位置上，而是位于晶格的空隙中） 化学形式相同：KMnO4和BaSO4 离子大小相近：LaF3和CaF2
如何避免生成混晶？ 生成混晶的选择性是比较高的，要避免也较困 难。因为不论杂质的浓度多么小，只要构晶离子 形成了沉淀，杂质就一定会在沉淀过程中取代某 一构晶离子而进入到沉淀中。 >减小或消除方法 将杂质事先分离除去； 加入络合剂或改变沉淀剂，以消除干扰离子 10
10 生成混晶的选择性是比较高的，要避免也较困 难。因为不论杂质的浓度多么小，只要构晶离子 形成了沉淀，杂质就一定会在沉淀过程中取代某 一构晶离子而进入到沉淀中。 如何避免生成混晶？ ➢ 减小或消除方法 将杂质事先分离除去； 加入络合剂或改变沉淀剂，以消除干扰离子