中国科学技木大学物理系微电子专业 (100) (110) (111) 晶面(100)晶向[100]截距[1∞∞]密勒指数[100] 晶面(110)晶向110]截距[11∞]密勒指数[110] 晶面(111)晶向[111]截距[111]密勒指数[111] Principle of Semiconductor Devices 2023/4/10 11
Principle of Semiconductor Devices 中国科学技术大学物理系微电子专业 晶面(100) 晶向[100] 截距[1∞ ∞]密勒指数[100] 晶面(110) 晶向[110] 截距[11 ∞]密勒指数[110] 晶面(111) 晶向[111] 截距[111]密勒指数[111] 2023/4/10 Monday 11
中国科学技木大学物理系微电子专业 密勒指数 (hkl):For a plane that intercepts the x-axis on the negative side of the origin.(100) .For planes of equivalent symmetry (100)(010)(001)(100)(010(001) [hk:For a crystal direction <h>:For a full set of equivalent directions. [100][010][001][100][010][001][100] Principle of Semiconductor Devices 2023/4/10 12
Principle of Semiconductor Devices 中国科学技术大学物理系微电子专业 2023/4/10 Monday 12 密勒指数 (hkl): For a plane that intercepts the x-axis on the negative side of the origin.(100) {hkl}: For planes of equivalent symmetry. (100)(010)(001)(100)(010)(001) <hkl>: For a full set of equivalent directions. [100][010][001] [100][010][001][100] [hkl]: For a crystal direction
中国科学技木大学物理系微电子专业 价键 每个原子有4个最近邻原子以共价键结合， 低温时电子被束缚在各自的正四面体晶格 内，不参与导电。高温时，热振动使共价 键破裂，每打破一个键，就得到一个自由 电子，留下一个空穴，即产生一个电子空 穴对。 Principle of Semiconductor Devices 2023/4/10 13
Principle of Semiconductor Devices 中国科学技术大学物理系微电子专业 2023/4/10 Monday 13 价键 • 每个原子有4个最近邻原子以共价键结合， 低温时电子被束缚在各自的正四面体晶格 内，不参与导电。高温时，热振动使共价 键破裂，每打破一个键，就得到一个自由 电子，留下一个空穴，即产生一个电子空 穴对
中国科学技木大学物理系微电子专业 单晶硅 +4 0,0,2g 111 2,2,2 a +4 +4 0.0 +4 (a) 6b) Principle of Semiconductor Devices 2023/4/10 14
Principle of Semiconductor Devices 中国科学技术大学物理系微电子专业 2023/4/10 Monday 14 单晶硅
中国科学技木大学物理系微电子专业 半导体载流子：电子和空穴 Si Conduction electron Si Hole Elec- tron Principle of Semiconductor Devices 2023/4/10 15
Principle of Semiconductor Devices 中国科学技术大学物理系微电子专业 2023/4/10 Monday 15 半导体载流子：电子和空穴