电子光谱和分子光谱? 电子光谱:UV和Vs光谱,原子中电子在不同能级 间的跃迁,能量较高,d区配合物的d-d光谱,镧系 元素的fT迁光谱,反映电子结构和配位场对电子 结构的影响。研究配位场对配合物的性质的影响。 分子光谱:R和 Raman,由分子的振动和化学键的 强度及分子的对称性决定,能量较低。反映分子的 成键和结构。研究有机金属化合物的结构
电子光谱和分子光谱？ 电子光谱：UV和VIS光谱，原子中电子在不同能级 间的跃迁，能量较高， d区配合物的d-d光谱, 镧系 元素的f-f跃迁光谱，反映电子结构和配位场对电子 结构的影响。研究配位场对配合物的性质的影响。 分子光谱：IR和Raman, 由分子的振动和化学键的 强度及分子的对称性决定，能量较低。反映分子的 成键和结构。研究有机金属化合物的结构
第3章.配位场理论和配合物的电子光谱 d轨道在配位场中的能级分裂(电子光谱的基 础和来源) 二.过渡金属配合物的电子光谱,△大小的表征 一电子光谱(吸收光谱,紫外可见光谱), T-S图 三电荷迁移光谱( charge transfer;CT光谱)
第3章. 配位场理论和配合物的电子光谱 一.d 轨道在配位场中的能级分裂（电子光谱的基 础和来源） 二. 过渡金属配合物的电子光谱，O大小的表征 ―电子光谱（吸收光谱，紫外可见光谱）， T―S图 三.电荷迁移光谱（charge transfer,CT光谱）
d轨道在配位场中的能级分裂
一 .d 轨道在配位场中的能级分裂
eDg q gh spin(弱场) 八面体场△0=10Da g 4D 6Da 四面体场△r=4/9△ d5, low spin(强场)
6Dq 4Dq eg t2ge t2 6Dq 4Dq 八面体场 O=10Dq 四面体场 T= 4/9 O d 5 , High spin(弱场) t2g eg eg t2g d 5 , low spin(强场)
影响分裂能的因素: 10Dq-figand gion 1配位场的强度,配体光谱化学系列 I-< Br< s2-< scn-< cl< no.< f< oh-< OX<H2O< NCS< CH3CN< NH3 <en dipy phen no,<PR2 <CN-< CO 2金属离子M叶,n越大,分裂能越大
影响分裂能的因素： 10Dq＝f ligand gion 1.配位场的强度,配体,光谱化学系列 I − Br− S 2− SCN− Cl− NO3 − F− OH− ox2− H2O NCS− CH3CN NH3 en dipy phen NO2 − PR3 CN− CO 2.金属离子Mn+,n越大,分裂能越大