中国科学技术大学物理系微电子考业 P-base-diffusion ol111 Sio, p-type n-type substrate n-type substrate E B 微电子平面工艺 (Fairchild仙童公司发明 1950s) n-type substrate Principle of Semiconductor Devices 2023/5/2 6
中国科学技术大学物理系微电子专业 2023/5/2 Tuesday 6 微电子平面工艺 （Fairchild仙童公司发明 1950s） Principle of Semiconductor Devices
中国科学技术大学物理系微电子专业 §3.1 晶体管的基本原理 1、基本结构及其杂质分布 基本结构 由两个P-N结共用一个基区组成的 在两个结中，一个叫发射结，一个叫集电 结。中间区域就叫基区，而另两个区与结 相对应的被称作发射区和集电区 器件具有三个电极端子，分别称作发射极， 基极和集电极 Principle of Semiconductor Devices 2023/5/2
中国科学技术大学物理系微电子专业 2023/5/2 Tuesday 7 §3.1 晶体管的基本原理 1、基本结构及其杂质分布 • 基本结构 由两个P-N结共用一个基区组成的。 在两个结中，一个叫发射结，一个叫集电 结。中间区域就叫基区，而另两个区与结 相对应的被称作发射区和集电区。 器件具有三个电极端子，分别称作发射极， 基极和集电极。 Principle of Semiconductor Devices
中国科学技术大学物理系微电子专业 双极型晶体管类型 E n" p n p n p Principle of Semiconductor Devices 2023/5/2 8
中国科学技术大学物理系微电子专业 2023/5/2 Tuesday 8 双极型晶体管类型 n + p n p + n p Principle of Semiconductor Devices
中国科学技术大学物理系微电子考业 晶体管工艺与杂质分布 (a)合金管 杂质分布特点：三个区内杂质均匀分布， 发射结、集电结为突变结 (b)双扩散管 杂质分布特点：基区为缓变杂质分布，发 射区杂质分布也缓变。 (c)全离子注入管 杂质分布特点：三个区内杂质均匀分布， 发射结、集电结为突变结 Principle of Semiconductor Devices 2023/5/2 9
中国科学技术大学物理系微电子专业 2023/5/2 Tuesday 9 • 晶体管工艺与杂质分布 (a)合金管 杂质分布特点：三个区内杂质均匀分布， 发射结、集电结为突变结 . (b)双扩散管 杂质分布特点：基区为缓变杂质分布，发 射区杂质分布也缓变。 (c) 全离子注入管 杂质分布特点：三个区内杂质均匀分布， 发射结、集电结为突变结 Principle of Semiconductor Devices
中国科学技术大学物理系微电子考业 分类 晶体管内部，载流子在基区的传输过程是决 定晶体管的增益、频率特性等性能参数的重 要指标。在基区宽度确定后，基区杂质分布 是影响基区输运过程的关键因素，一般可以 分为两大类： (a)均匀基区晶体管，传输机构以扩散为主，如 合金管和全离子注入管。传输以扩散为主。 (b)缓变基区晶体管。如各种扩散管。由于基区 中存在自建电场，以漂移为主， Principle of Semiconductor Devices 2023/5/2 10
中国科学技术大学物理系微电子专业 2023/5/2 Tuesday 10 • 分类 晶体管内部，载流子在基区的传输过程是决 定晶体管的增益、频率特性等性能参数的重 要指标。在基区宽度确定后，基区杂质分布 是影响基区输运过程的关键因素，一般可以 分为两大类： (a)均匀基区晶体管，传输机构以扩散为主，如 合金管和全离子注入管。传输以扩散为主。 (b)缓变基区晶体管。如各种扩散管。由于基区 中存在自建电场，以漂移为主， Principle of Semiconductor Devices