俄歇分析的选择 口 通常 口对于Z≤14的元素，采用KLL俄歇电子分析； 口14<Z<42的元素，采用LMM俄歇电子较合适； 口Z>42时，以采用MNN和MNO俄歇电子为佳
俄歇分析的选择 通常 对于Z≤14的元素，采用KLL俄歇电子分析； 14<Z<42的元素，采用LMM俄歇电子较合适； Z>42时，以采用MNN和MNO俄歇电子为佳
为什么说俄歇电子能谱分析是一种表面分析方法且空间分辨 率高？ 口大多数元素在50~1000eV能量范围内都有产额较高的俄歇电子，它们 的有效激发体积（空间分辨率）取决于入射电子束的束斑直径和俄歇 电子的发射深度。 口能够保持特征能量（没有能量损失）而逸出表面的俄歇电子，发射深 度仅限于表面以下大约2m以内，约相当于表面几个原子层，且发射 (逸出)深度与俄歇电子的能量以及样品材料有关。 口在这样浅的表层内逸出俄歇电子时，入射电子束的侧向扩展几乎尚未 开始，故其空间分辨率直接由入射电子束的直径决定
为什么说俄歇电子能谱分析是一种表面分析方法且空间分辨 率高？ 大多数元素在50~1000eV能量范围内都有产额较高的俄歇电子，它们 的有效激发体积（空间分辨率）取决于入射电子束的束斑直径和俄歇 电子的发射深度。 能够保持特征能量（没有能量损失）而逸出表面的俄歇电子，发射深 度仅限于表面以下大约2nm以内，约相当于表面几个原子层，且发射 （逸出）深度与俄歇电子的能量以及样品材料有关。 在这样浅的表层内逸出俄歇电子时，入射电子束的侧向扩展几乎尚未 开始，故其空间分辨率直接由入射电子束的直径决定
2.直接谱与微分谱 口 直接谱：俄歇电子强度[密度（电 dN(E) 子数)N(E)对其能量E的分布 dE [N(E)-E]。 口微分谱：由直接谱微分而来， 是dN(E)/dE对E的分布[dNE)/dE N(E)X10 一E]。 200 400 600 800 1000 E/eV 图2-11俄歇电子能谱示例 (银原子的俄歇能谱)
2．直接谱与微分谱 直接谱：俄歇电子强度[密度(电 子数)]N(E)对其能量E的分布 [N(E)－E]。 微分谱：由直接谱微分而来， 是dN(E)/dE对E的分布[dN(E)/dE －E]。 图2-11 俄歇电子能谱示例 (银原子的俄歇能谱)
3.化学位移与伴峰 原子“化学环境”变化，不仅可能引起俄歇峰的位移（称化学位移）， 也可能引起其强度的变化，这两种变化的交叠，则将引起俄歇峰（图） 形状的改变。 口原子“化学环境”指原子的价态或在形成化合物时，与该（元素）原子 相结合的其它（元素）原子的电负性等情况 口如：原子发生电荷转移（如价态变化）引起内层能级变化，从而改变俄 歇跃迁能量，导致俄歇峰位移： 口又如：不仅引起价电子的变化（导致俄歇峰位移），还造成新的化学键 (或带结构)形成以致电子重新排布的化学环境改变，将导致谱图形状 的改变（称为价电子谱）等
3．化学位移与伴峰 原子“化学环境”变化，不仅可能引起俄歇峰的位移(称化学位移)， 也可能引起其强度的变化，这两种变化的交叠，则将引起俄歇峰(图) 形状的改变。 原子“化学环境”指原子的价态或在形成化合物时，与该(元素)原子 相结合的其它(元素)原子的电负性等情况 如：原子发生电荷转移(如价态变化)引起内层能级变化，从而改变俄 歇跃迁能量，导致俄歇峰位移； 又如：不仅引起价电子的变化(导致俄歇峰位移)，还造成新的化学键 (或带结构)形成以致电子重新排布的化学环境改变，将导致谱图形状 的改变(称为价电子谱)等
化学位移示例 氧化表面 1 160170180190 E/eV 图13-2Mo(110)面俄歇能谱
化学位移示例 图13-2 Mo(110)面俄歇能谱