表8-1金多晶电子衍射花样标定数据处理过程与结果 行射环序号 R/mm R2 R号R (R/R)×3 N HKL d/nm 1 6.28 39.44 1.00 3.00 3 111 0.2355 2 7.27 52.35 1.34 4.02 3 200 0.2039 3 10.29 05.9 2.68 8.04 8 220 0.1442 4 12.05 145.2 3.68 10.94 11 311 0.1230 12.57 158.0 4,06 12.18 12 222 0.1177 6 14.62 213.8 5.42 16.26 16 400 0.1020 7 15.87 251.8 6.38 19.14 19 331 0.09358 8 16.31 266.0 6.74 20.22 20 420 0.09120 9 17.85 318.5 8.05 24.15 24 422 0.08325 10 18.96 359.4 9.11 27.33 27 333(511) 0.07849 11 20.73 429.7 10.89 32.67 32 440 0.07210 12 21.52 463.2 11.74 35.22 35 531 0.06894 13 21.91 480.0 12.17 35.51 36 600 0.06798 14 23.21 533.7 13.63 40.89 40 620 0.06448
表8-1 金多晶电子衍射花样标定[数据处理]过程与结果
四、单晶电子衍射成像原理与衍射花样特征 反射球 HK H,KL衔射花样 000 HK:L,衍射花样 图8-3单晶电子衍射成像原理
四、单晶电子衍射成像原理与衍射花样特征 图8-3 单晶电子衍射成像原理
单晶电子衍射花样特征 口单晶电子衍射花样就是(w)*零层倒易平面（去除权重为零的倒 易点后)的放大像（入射线平行于晶带轴[w])
单晶电子衍射花样特征 单晶电子衍射花样就是（uvw）* 0零层倒易平面（去除权重为零的倒 易点后）的放大像（入射线平行于晶带轴[uvw]）
五、单晶电子衍射花样的标定 主要指单晶电子衍射花样指数化，包括确定各衍射斑点相应衍射晶面 干涉指数(HKL)并以之命名（标识）各斑点和确定衍射花样所属 晶带轴指数[w]。对于未知晶体结构的样品，还包括确定晶体点阵 类型等内容。 口单晶电子衍射花样标定时除应用衍射分析基本公式外还常涉及以下知 识：单晶衍射花样的周期性。 口单晶电子衍射花样可视为某个(w)*。零层倒易平面的放大像 [(w)*。平面法线方向[w]近似平行于入射束方向（但反向）]。 因而，单晶电子衍射花样与二维(w)*。平面相似，具有周期性排 列的特征
五、单晶电子衍射花样的标定 主要指单晶电子衍射花样指数化，包括确定各衍射斑点相应衍射晶面 干涉指数（HKL）并以之命名（标识）各斑点和确定衍射花样所属 晶带轴指数[uvw]。对于未知晶体结构的样品，还包括确定晶体点阵 类型等内容。 单晶电子衍射花样标定时除应用衍射分析基本公式外还常涉及以下知 识：单晶衍射花样的周期性。 单晶电子衍射花样可视为某个（uvw）* 0零层倒易平面的放大像 [（uvw）* 0平面法线方向[uvw]近似平行于入射束方向（但反向）]。 因而，单晶电子衍射花样与二维（uvw）* 0平面相似，具有周期性排 列的特征