3.电子导电：半导体 Nc =2(2mkgT/h2) n=Nce (Ec-Er YkaT 定义 Ny =2(2jkgT/h2)2 p=Nve (Er-EryknT (有效状态密度) 本征半导体：n=p 6+6小r2,r[0 ”=p=22）e Eg =Ec-Ev 7
3.电子导电：半导体 11 定义 （有效状态密度） 本征半导体： n = p
3.电子导电：半导体 3/2 (mim:)"e-t/kat 常温下T很小，而且电子、空穴的有效质量 Conduction Band 差别不大，所以Fermi能级大致位于本征半导 体的禁带中央。 Ec BF≈2(Ec+Bv) Er Many HOLES! n或p对温度的依赖关系主要取决于指数因子。 Valence Band 随着温度的上升，本征载流子浓度将急剧增加。 反之，随着温度下降，本征载流子浓度下降也很快，因此大部分半导 体材料在室温下的本征载流子浓度并不足以产生有意义的电导率
3.电子导电：半导体 12 • 常温下kBT很小，而且电子、空穴的有效质量 差别不大，所以Fermi 能级大致位于本征半导 体的禁带中央。 • n 或p 对温度的依赖关系主要取决于指数因子。 随着温度的上升，本征载流子浓度将急剧增加。 • 反之，随着温度下降，本征载流子浓度下降也很快，因此大部分半导 体材料在室温下的本征载流子浓度并不足以产生有意义的电导率。 𝐸𝐹 ≈ 1 2 (𝐸𝐶 + 𝐸𝑉)