TTL探测器（高分辨模式） SE电子在透镜磁 TTL E-T 场中做螺旋运动通过透 镜到达探测器，基本排 除了BSE电子，收集到 BSE 的是束电子产生的二次 电子(SE1)和背散射 SE 电子激发的二次电子 SE BSE (SE2),大大提高了 分辨率
TTL探测器（高分辨模式） SE电子在透镜磁 场中做螺旋运动通过透 镜到达探测器，基本排 除了BSE电子，收集到 的是束电子产生的二次 电子（SE1）和背散射 电子激发的二次电子 （SE2），大大提高了 分辨率
固体探测器 极靴 利用高能电子在 半导体中产生的电子 背散射电子 空穴对研制出的固体探 环形背散射电子探测器 测器。 上接点 薄金层 固体探测器主要特点： 《产生电子空穴对 。 固体探测器一般为平整 P-N结 Si 的薄片，尺寸各异。 下接点 可以靠近样品放置，提 供高效几何效率。 外电路中的电流监视器 ·对高能背散射电子灵敏， 对二次电子不灵敏。 p-n结型的背散射电子固体探测器简图.通常把 环形背散射电子探测器置于末级透镜的底部
固体探测器 利用高能电子在 半导体中产生的电子- 空穴对研制出的固体探 测器。 固体探测器主要特点： • 固体探测器一般为平整 的薄片，尺寸各异。 • 可以靠近样品放置，提 供高效几何效率。 • 对高能背散射电子灵敏， 对二次电子不灵敏
电子束 阴极荧光探测器 第一表面反射镜 样品上方装一个椭球 镜，样品位于第一焦点上， 电子束通过入口孔到达样 品，样品发射的光线被镜 面反射到第二焦点，这里 光导管 放有光导管，把光线送至 光电倍增管，用这种系统 几乎可以百分之一百地收 集所发射的光线。 PM 图4.24. 收集阴极荧光辐射的椭球镜.样 品放在第-一焦点，荧光被反射到第二焦点， 再送入光电倍增管
阴极荧光探测器 样品上方装一个椭球 镜，样品位于第一焦点上， 电子束通过入口孔到达样 品，样品发射的光线被镜 面反射到第二焦点，这里 放有光导管，把光线送至 光电倍增管，用这种系统 几乎可以百分之一百地收 集所发射的光线
图像衬度 图像衬度C定义： C=(S2-S1)/S2S2>S1 S2和S1代表扫描区域中两点被检测的信号强度，C为正数，且0≤C≤1 通常，S2指样品，S1指背底 在SEM中，电子束与样品相互作用，由于样品微区特征的差异（如形貌，原子序数或化学成分、 晶体结构或取向等)，产生的信号强度不同，导致荧光屏上出现不同亮度的区域，这就是 SEM图像的衬度（反差）
图像衬度 图像衬度C定义: S2和S1代表扫描区域中两点被检测的信号强度，C为正数，且 通常，S2指样品，S1指背底 在SEM中，电子束与样品相互作用，由于样品微区特征的差异(如形貌，原子序数或化学成分、 晶体结构或取向等)，产生的信号强度不同，导致荧光屏上出现不同亮度的区域，这就是 SEM图像的衬度（反差）
形貌衬度 BSE电子和SE电子的产率与电子束和样品之间的入射角有关，入 射角因样品表面的形貌起伏而变化，这就形成了样品的形貌衬度。SE 电子和BSE电子均有形貌衬度，信号强度差异是提供形貌衬度的依据。 SE电子像的形貌衬度 >二次电子的产率与样品表面起伏有关，而与样品的原子序数没 有明显的依赖关系。 >二次电子产率与样品倾角成正割关系，表面倾角大的样品产生 样品 的二次电子比倾角小的多。 BSE电子像的形貌衬度 BSE >BSE电子系数η随样品倾角加大而上升。 >BSE电子角度分布与样品倾角有关。 0=0°余弦分布，以表面法线成旋转对称分布。 高倾角日时，其BSE电子分布在向前散射的方 向上趋于一个明显的峰。 高倾角样品背散射 信号的检测
形貌衬度 BSE电子和SE电子的产率与电子束和样品之间的入射角有关，入 射角因样品表面的形貌起伏而变化，这就形成了样品的形貌衬度。 SE 电子和BSE电子均有形貌衬度，信号强度差异是提供形貌衬度的依据。 SE电子像的形貌衬度 ➢二次电子的产率与样品表面起伏有关，而与样品的原子序数没 有明显的依赖关系。 ➢二次电子产率与样品倾角成正割关系，表面倾角大的样品产生 的二次电子比倾角小的多。 BSE电子像的形貌衬度 ➢BSE电子系数η随样品倾角加大而上升。 ➢BSE电子角度分布与样品倾角有关。 θ=0⁰ 余弦分布，以表面法线成旋转对称分布。 高倾角θ时，其BSE电子分布在向前散射的方 向上趋于一个明显的峰