5.2:2动态M0s存储单元与存储芯片 1.四管单元 (1)组成 T3 T1、T2:记忆管 G1、2:柵极电容 T1 T2 T3、T4:控制门管 C1 C2 Z:字线 W、W:位线 (2)定义 “0”:T1导通,T2截止(c1有电荷,C2无电荷) “1”:T截止,T2导通(c1无电荷,C2有电荷)。 (3)工作 z:加高电平,T3、T4导通,选中该单元
5.2.2 动态MOS存储单元与存储芯片 1.四管单元 （1）组成 T1、T2：记忆管 C1、C2：柵极电容 T3、T4：控制门管 Z：字线 W、 W：位线 （2）定义 “0”：T1导通，T2截止 “1”：T1截止，T2导通 T1 T2 T3 T4 Z W W C1 C2 （C1有电荷，C2无电荷）； （C1无电荷，C2有电荷）。 （3）工作 Z：加高电平，T3、T4导通，选中该单元
写入:在W、W上分别加W 高、低电平,写1/0 T3 T4 读出:W、W先预充电至 高电平,断开充电回路, 再根据W、W上有无电流, C1 C2 读1/0。 (4)保持 Z z:加低电平,T3、T4截止,该单元未选中,保持原状态。 需定期向电容补充电荷(动态刷新),∴称动态。 四管单元是非破坏性读出,读出过程即实现刷新。 2.单管单元 (1)组成 G:记忆单元T:控制门管 Z:字线 W:位线
2.单管单元 （1）组成 （4）保持 T1 T2 T3 T4 Z W W C1 C2 写入：在W、W上分别加 高、低电平，写1/0。 读出：W、W先预充电至 再根据W、W上有无电流， 高电平，断开充电回路， 读1/0。 Z：加低电平，T3、T4截止，该单元未选中，保持原状态。 需定期向电容补充电荷（动态刷新），∴称动态。 四管单元是非破坏性读出，读出过程即实现刷新。 C：记忆单元 C W Z T T：控制门管 Z：字线 W：位线