)选择适合的激发波长得到不同衍射强度的拉曼光谱 Power at the sample 532nm 8 mW without any density filter,4mW with D0.3 473nm 8-9mW without any density filter,4mW with D0.3 ■1-473-D03 ■Ligh:l0ae-532-D0d 60 100 120 不同激发波长条件下的拉曼光谱图
a)选择适合的激发波长得到不同衍射强度的拉曼光谱 不同激发波长条件下的拉曼光谱图
选择激发波长— 穿透深度 785nm633nm488nm325nm Si Ge 250 300350400 00650700750800 D a 4k D为激发波长在样品中的穿透深度； k为消光系数
选择激发波长——穿透深度 k Dp 4 1 = = Dp为激发波长在样品中的穿透深度； k为消光系数. Wavelength (nm) 250 300 350 400 450 500 550 600 650 700 750 800 k 5 4 3 2 1 0 Si Ge 785nm 633nm 488nm 325nm
b)分析样品不同层的信息 利用不同波长穿透深度不同，可以分析样品不同层的信息 785nm 633nm 488nm325nm 一Si of Silicon top layer strained Si cap laye 15 nm -325nm Si of SiGe buffer GeGe SiGe Si of Silicon top layer Graded SiGe layers 488nm Si of SiGe GeGe SiGe -633nm Si of silicon substrate Silicon substrale GeGe SiGe 785nm (om-1) 样品不同层深度拉曼光谱图
利用不同波长穿透深度不同，可以分析样品不同层的信息 b)分析样品不同层的信息 样品不同层深度拉曼光谱图