卤代反应: +δ Br2+ FeBr3-BrBr- FeBr3 溴分子在FeBr3的作用下发生极化 Br BrBr--Fe Br R +Br+ FeBr R十 生成芳正离子 Br Br R+H→R H 脱去质子
卤代反应： Br2 + FeBr3 Br Br FeBr3 δ δ 溴分子在FeBr3的作用下发生极化 R Br Br FeBr Br H + FeBr Br 3 + R Br R H R Br + H 生成芳正离子 脱去质子
实验已经证实芳正离子的存在: CH 3 HhS CHF/BF: H3C CH BF 80℃ CH m.p:-15℃ (二)亲电取代反应的特性与相对活性 反应活性: 致活效应:取代基的影响使芳环的反应活性提高; 致钝效应:取代基的影响使芳环的反应活性降低
实验已经证实芳正离子的存在： CH3 H3C CH3 C2H5 F/BF3 -80℃ CH3 CH3 H3C H C2H5 BF4 - m. p: -15℃ （二） 亲电取代反应的特性与相对活性 反应活性： 致活效应：取代基的影响使芳环的反应活性提高； 致钝效应：取代基的影响使芳环的反应活性降低
第一类定位基: N(CH3)2, NH2, OH, OCH3, NHCOCH3, OCOCH3, Cl, Br, I, CH3, CH2COOCH3 卤素对芳环有致钝作用 第一类取代基(除卤素外)具有+I,或是十C效应, 其作用是增大芳环的电子云密度 第二类定位基: N(CH3)3 NO2 CN SO3H CHO COCH3 COoH COOR CONH2 NH3 具有一或-C效应使芳环上的电子云密度降低
Y 第一类定位基： N(CH3 ) 2 , NH2 ,OH, OCH3 , NHCOCH3 , OCOCH3，Cl, Br, I, CH3 ,CH2 COOCH3 卤素对芳环有致钝作用 第一类取代基 （除卤素外）具有+I， 或是＋C效应， 其作用是增大芳环的电子云密度。 第二类定位基： NO2 CN SO3 H CHO COCH3 COOH COOR CONH2 NH3 + N(CH3 ) 3 + 具有－I或－C效应 使芳环上的电子云密度降低
定位效应( Orientation) 芳环上取代基对于E+进入芳环位置的影响。 第一类定位基一邻对位定位基 第二类定位基一间位定位基 CH-CH2 CH-CH2 CHCH2 CH-CH2 H H CHCH,邻对位 E E E E +E CH-CH, CH-CH2 CHCH2 间位 共振式越多 正电荷分散 HE H H E 程度越大,芳正离子越稳定
定位效应 (Orientation)： 芳环上取代基对于E+进入芳环位置的影响。 第一类定位基－邻对位定位基 第二类定位基－间位定位基 CH CH2 + E 邻对位 CH CH2 H E CH CH2 H E CH CH2 H E CH CH2 H E 间位 CH CH2 H E CH CH2 H E CH CH2 H E 共振式越多， 正电荷分散 程度越大，芳正离子越稳定
动力学控制与热力学控制 H SO3H 80 165 C +H2SO4 sOH 165 Q位取代一动力学控制产物; β位取代一热力学控制产物
动力学控制与热力学控制 + H2 SO4 80 ℃ 165 ℃ H SO3 H SO3 H H 165℃ α位取代－动力学控制产物； β位取代－热力学控制产物