6o陆点 不學 6)离子在电 场中的极化 @项的 图7.2离子极化作用示意图 离子极化的结果，使正、负离子之间发生了额外的吸引力，甚至有可能使两个离子的 轨道或电子云产生变形而导致轨道的相互重叠，趋向于生 离子相互极化作用增强 ⊙⊙DC⊙ 团，演子健的装的示意园 成极性较小的键（见图7.3），即离子键向共价键转变。从这个观点看，离子键和共价 键之间并没有严格的界限，在两者之间存在着一系列过渡状态。例如，极性键可以看成是 离子键向共价键过渡的一种形式 离子极化作用的强弱与离子的极化力和变形性两方面因素有关 离子使其他离子极化而发生变形的能力叫做离子的极化力。离子的极化力决定于它的 电场强度，简单地说，主要决定于下列三个因素。 (1)离子的电荷电荷数越多，极化力越强。 (②)离子的半径半径越小，极化力越强。 (3)离子的外层电子构型外层8电子构型（稀有气体原子结构）的离子（如Na、Mg)极化 力弱， 外层9 7由 子构型的离子（如Cr”、M Fe”、Fe)以及外层18电子构型的离子（如 Cu、Zn)等极化力较强 离子的变形性（即离子可以被极化的程度）的大小也与离子的结构有关，主要也决定于 下列三个因素。 (1)离子的电荷随正电荷数的减少或负电荷数的增加，变形性增大。例如变形性 (②)离子的半径随半径的增大，变形性增大。例如变形性 F<C1<Br<I:0<S (3)离子的外层电子构型外层18,9~17等电子构型的离子变形性较大，具有稀有气体 外层电子构型的离子变形性较小。例如变形性 K'<Ag:Ca<Hg 根据上述规律，由于负离子的极化力较弱，正离子的变形性较小，所以考虑离子间极 化作用时， 一般说来，主要是考虑正离子的极化力引起负离子的变形。只有当正离子也容 易变形（如外层18电子构型的+1、+2价正离子）时，才不容忽视两种离子相互之间进一步 引起的极化作用（称之为附加极化效应），从而加大了总的离子极化作用。 离子极化理论是离子键理论的重要补充，由于离子极化作用引起雄的极性减少，使相 应的晶体会从离子型逐渐变成过渡型直至共价型（一般为分子晶体），因而往往会使晶体的 熔点降低、在水中 溶解度 减少 、颜色加深等。 离子极化对晶体结构和熔点等性质的影响，可以第3周期的氯化物为例，如表7.4所 示，由于Na、Mg、A1”、Si"的离子电荷依次递增而半径减小，极化力依次增强，引起C1 发生变形的程度也依次增大，致使正负离子轨道的重叠程度增大，键的极性减小，相应的 晶体由NaC1的离子晶体转变为层状的MgC1l2、AICl,的过渡型晶体，最后转变为SiCL,的共 价型分子晶体，其熔点、沸点、导电性也依次递减
离子极化的结果，使正、负离子之间发生了额外的吸引力，甚至有可能使两个离子的 轨道或电子云产生变形而导致轨道的相互重叠，趋向于生 成极性较小的键(见图 7.3)，即离子键向共价键转变。从这个观点看，离子键和共价 键之间并没有严格的界限，在两者之间存在着一系列过渡状态。例如，极性键可以看成是 离子键向共价键过渡的一种形式。 离子极化作用的强弱与离子的极化力和变形性两方面因素有关。 离子使其他离子极化而发生变形的能力叫做离子的极化力。离子的极化力决定于它的 电场强度，简单地说，主要决定于下列三个因素。 (1)离子的电荷电荷数越多，极化力越强。 (2)离子的半径半径越小，极化力越强。 (3)离子的外层电子构型外层 8 电子构型(稀有气体原子结构)的离子(如 Na+、Mg2+)极化 力弱，外层 9～17 电子构型的离子(如 Cr3+、Mn2+、Fe2+、Fe3+)以及外层 18 电子构型的离子(如 Cu+、Zn2+)等极化力较强。 离子的变形性(即离子可以被极化的程度)的大小也与离子的结构有关，主要也决定于 下列三个因素。 (1)离子的电荷 随正电荷数的减少或负电荷数的增加，变形性增大。例如变形性 Si4+＜Al3+＜Mg2+＜Na+＜F -＜O 2- (2)离子的半径 随半径的增大，变形性增大。例如变形性 F -＜Cl-＜Br-＜I -；O 2-＜S 2- (3)离子的外层电子构型外层 18，9～17 等电子构型的离子变形性较大，具有稀有气体 外层电子构型的离子变形性较小。例如变形性 K +＜Ag+；Ca2+＜Hg2+ 根据上述规律，由于负离子的极化力较弱，正离子的变形性较小，所以考虑离子间极 化作用时，一般说来，主要是考虑正离子的极化力引起负离子的变形。只有当正离子也容 易变形(如外层 18 电子构型的+1、+2 价正离子)时，才不容忽视两种离子相互之间进一步 引起的极化作用(称之为附加极化效应)，从而加大了总的离子极化作用。 离子极化理论是离子键理论的重要补充，由于离子极化作用引起键的极性减少，使相 应的晶体会从离子型逐渐变成过渡型直至共价型(一般为分子晶体)，因而往往会使晶体的 熔点降低、在水中溶解度减少、颜色加深等。 离子极化对晶体结构和熔点等性质的影响，可以第 3 周期的氯化物为例，如表 7.4 所 示，由于 Na+、Mg2+、Al3+、Si4+的离子电荷依次递增而半径减小，极化力依次增强，引起 Cl- 发生变形的程度也依次增大，致使正负离子轨道的重叠程度增大，键的极性减小，相应的 晶体由 NaCl 的离子晶体转变为层状的 MgCl2、AlCl3的过渡型晶体，最后转变为 SiCl4的共 价型分子晶体，其熔点、沸点、导电性也依次递减
表7.4第3周期中一些氯化物的性质 氯化物 MeCl2 AICI SiC14 正离 Na r+/mn 0.095 0.085 0.050 0.041 容点℃ 801 714 10加压下) -70 沸点/ 1413 1412 177.8升华) 57.57 摩尔电导率 熔点时) 尚大 很小 品体类型 离子品体层状结构品体层状结构品体 分子品体 对于前述的第Ⅱ主族及区、过渡金属的氯化物的熔点规律，可作 下解释 ,由于C1 负离子半径较大，有一定变形性，而第Ⅱ主族的Sr”、Ca”、Mg”、Be“的离子半径比同周期 的第I主族金属离子的半径要小得多，且电荷数为+2。因而正离子的极化力随之有所增强。 这就使得第Ⅱ主族金属的氯化物的晶体结构，随着极化作用的增强，自下而上，由BaC1: 的离子晶体逐渐转变为MgC1,的层状结构晶体或BeC1,的链状结构晶体（气态BeC1,是电偶极 矩为零的共价型分子)。BeCl、MgCl,可溶 于不少有机溶剂 甚至SrC1 也颇溶于酒精。 些都说明第Ⅱ主族金属的氯化物由于极化作用己有逐渐向分子晶体过渡的趋向。许多过波 金属及p区金属的氯化物，由于正离子电荷数较多，外层电子又可为9~17、或18等电了 构型，而可具有较强的极化力，使这些氯化物往往具有自离子型向分子型转变的过渡型品 体的结构，所以大多熔点、沸点比离子晶体的要低。而且由于较高价态“离子”电荷数较 多、半径较小，因而具有较强的极化力， 就易使其氯化物带有更多的共价性（易偏向分子品 体)。所以高价态金属氯化物比 的熔点、 点往往要低些 挥 性也要强 又如，AgCl、AgB、AgI颜色逐渐加深而在水中的溶解度却依次减少：同种元素的硫 化物的颜色常比相应的氧化物或氢氧化物的深等，都可从离子极化作用的增强得到解释。 3.氧化物 氧化物是指氧与电负性比氧的要小的元素所形成的二元化合物。人类在生产活动中大 量地使用各种氧化物，地壳中除氧外丰度较大的硅、铝、铁就以多种氧化物存在于自然界， 例如Si0,(石英砂 、A1:0( 土的主要组分) FeO和F 表7.5中列出了一些氧化物的熔点。氧化物的沸点的变化规律基本和熔点的一致，数 据不再列表：一些金属氧化物（包括Si0)的硬度见表7.6。总的说来，与氯化物相类似， 但也存在一些差异。金属性强的元素的氧化物如Na0、Ba0、Ca0、Mg0等是离子晶体，熔 ,大多数非金属元素的氧化物如S0 、N0、C0,等是共价型化合物，固态 等点 占低 但与所有的非金屈氯化物都是分子品体不同 非金属硅的氧化物Si0(方石英)是原子晶体（见图5.24），熔点、沸点较高。大多数金属性 不大强的元素的氧化物是过渡型化合物，其中一些较低价态金属的氧化物如Cr0、A10、 下e0、Ni0、Ti0,等可以认为是离子晶体向原子晶体的过渡，或者说介于离子晶体和原子品 体之间，熔点较高。而高价态金属的氧化物如V:0、CrO、MoO、M0,等，由于“金属离子” 与“氧离子”相互极化作用强烈，偏向于共价型分子晶
表 7.4 第 3 周期中一些氯化物的性质 对于前述的第Ⅱ主族及 p 区、过渡金属的氯化物的熔点规律，可作如下解释。由于 Cl- 负离子半径较大，有一定变形性，而第Ⅱ主族的 Sr2+、Ca2+、Mg2+、Be2+的离子半径比同周期 的第Ⅰ主族金属离子的半径要小得多，且电荷数为+2。因而正离子的极化力随之有所增强。 这就使得第Ⅱ主族金属的氯化物的晶体结构，随着极化作用的增强，自下而上，由 BaCl2 的离子晶体逐渐转变为MgCl2的层状结构晶体或BeCl2的链状结构晶体(气态BeCl2是电偶极 矩为零的共价型分子)。BeCl2、MgCl2可溶于不少有机溶剂，甚至 SrCl2也颇溶于酒精。这 些都说明第Ⅱ主族金属的氯化物由于极化作用已有逐渐向分子晶体过渡的趋向。许多过渡 金属及 p 区金属的氯化物，由于正离子电荷数较多，外层电子又可为 9～17、或 18 等电子 构型，而可具有较强的极化力，使这些氯化物往往具有自离子型向分子型转变的过渡型晶 体的结构，所以大多熔点、沸点比离子晶体的要低。而且由于较高价态“离子”电荷数较 多、半径较小，因而具有较强的极化力，就易使其氯化物带有更多的共价性(易偏向分子晶 体)。所以高价态金属氯化物比低价态的熔点、沸点往往要低些，挥发性也要强些。 又如，AgCl、AgBr、AgI 颜色逐渐加深而在水中的溶解度却依次减少；同种元素的硫 化物的颜色常比相应的氧化物或氢氧化物的深等，都可从离子极化作用的增强得到解释。 3.氧化物 氧化物是指氧与电负性比氧的要小的元素所形成的二元化合物。人类在生产活动中大 量地使用各种氧化物，地壳中除氧外丰度较大的硅、铝、铁就以多种氧化物存在于自然界， 例如 SiO2(石英砂)、Al2O3(粘土的主要组分)、Fe2O3和 Fe3O4等。 表 7.5 中列出了一些氧化物的熔点。氧化物的沸点的变化规律基本和熔点的一致，数 据不再列表；一些金属氧化物(包括 SiO2)的硬度见表 7.6。总的说来，与氯化物相类似， 但也存在一些差异。金属性强的元素的氧化物如 Na2O、BaO、CaO、MgO 等是离子晶体，熔 点、沸点大都较高。大多数非金属元素的氧化物如 SO2、N2O5、CO2等是共价型化合物，固态 时是分子晶体(见图 5.25)，熔点、沸点低。但与所有的非金属氯化物都是分子晶体不同， 非金属硅的氧化物 SiO2(方石英)是原子晶体(见图 5.24)，熔点、沸点较高。大多数金属性 不大强的元素的氧化物是过渡型化合物，其中一些较低价态金属的氧化物如 Cr2O3、Al2O3、 Fe2O3、NiO、TiO2等可以认为是离子晶体向原子晶体的过渡，或者说介于离子晶体和原子晶 体之间，熔点较高。而高价态金属的氧化物如 V2O5、CrO3、MoO3、Mn2O7等，由于“金属离子” 与“氧离子”相互极化作用强烈，偏向于共价型分子晶
IITA IVA VA VIA 品 Li20B B203C02 20 218 223. 820M 203 S10 C20 50 -91. IIIE IVB VB VIB TI IB IIB 20721610 23.8 -72 58203 As205 r20 196 3 315d 118 K 261 8406902286535 13691795198412351975 1785115.0312.3 17.5 432 1630 395 400 795 25.51125d870230 0 733 875 152 20 400hg18 717 P0 400d450 300 88e 829 注：摘自参考文献[3]，第4-41~119页。 *系在加压下。d表示分解。s表示升华。P0、Br0、I0、Ti0、h0、Se0的数据 有一个温度范围，本表系取平均值。 表7.6一些金属氧化物和二氧化硅的硬度 氧化物Be0Sr0Ca0M0 Ti02 Fepa Si02 Cr203 莫氏硬度3.33.84.55.5-6.55.5-65-66-77-99 体，可以认为是离子晶体向分子品体的过渡，熔点、沸点较低。其次，当比较表7.2 和表7.5时可发现，大多数相同价态的某金属的氧化物的熔点都比其氯化物的要高。例如， 熔点：Mg0>MgC12、A1,0>A1C1、Fe:0,>FeCl2、Cu0>CuC1,等。 从上可见，原子型、离子型和某些过渡型的氧化物晶体，由于具有熔点高、硬度大、 对热稳定性高的共性， 工程中常可用作磨料、耐火材料、绝热材料及耐高温无机涂层材料 7.1.2、 导电性和固体能带理论 1.非金属及其化合物的导电性
注：摘自参考文献[3]，第 4-41～119 页。 * 系在加压下。d 表示分解。s 表示升华。P2O5、Br2O、I2O5、TiO2、Rh2O3、SeO2的数据 有一个温度范围，本表系取平均值。 表 7.6 一些金属氧化物和二氧化硅的硬度 体，可以认为是离子晶体向分子晶体的过渡，熔点、沸点较低。其次，当比较表 7.2 和表 7.5 时可发现，大多数相同价态的某金属的氧化物的熔点都比其氯化物的要高。例如， 熔点：MgO＞MgCl2、Al2O3＞AlCl3、Fe2O3＞FeCl3、CuO＞CuCl2等。 从上可见，原子型、离子型和某些过渡型的氧化物晶体，由于具有熔点高、硬度大、 对热稳定性高的共性，工程中常可用作磨料、耐火材料、绝热材料及耐高温无机涂层材料 等。 7.1.2、 导电性和固体能带理论 1.非金属及其化合物的导电性
如6.1节所述，金属导体、半导体和绝缘体的主要差别在于电导率的大小。导体非常 容易导电，电导率很大，一般大于10S·m:绝缘体很难，以致全然不导电，电导率小于 10S·m:而半导体则介于中间，电导率为10~10S·m。 非金属单质中，位于周期表p区右上部的元素（如C1 0)及稀有气体元素（如Ne、Ar) 的单质为绝缘体， 位于周期表P区对角线附近的元素单质大都具有半导体的性质（见图 6.7),其中硅和锗是公认最好的，其次是硒，其他半导体单质各有缺点。例如，碘的蒸气 压大、期的塔点高、磷有毒等，因而应用不多。位于周期表左边的大多数金属及其合金是 导体，己在6.1节中讨论过。 非金屈元素的化合物 大多数离子品体（如 CC1)都是绝缘 些无机化合物和 的化合物半 导体是所谓IⅢ-V(主)族化合物，以及IⅡ-Ⅵ族化合物，如GaAs、InSb、GaP以及如Zn0、 CdS、ZnSe等。此外，Sn0.、PbS、PbSe等也是应用较多的半导体。 若把一些化合物半导体看成是由单质半导体衍生而来，则有助于了解半导体的化学键。 例如可从下列实例中看出 GeGe→GaAs→ZnSe →CuB (IV-IV) (-V) (II-) 这些具有8个价电子①的半导体的化学键，是共价键或共价键与离子键（不是金属键：） 之间的过渡键型（或者说，半导体的化学键除G©、Si等少数共价键外，大多可以看成是由 于极化而引起由离子键向共价键过渡而形成的键)。 与金属的导申洁况不同.大多数半导体、饰缘体的申导率浦温府升高而讯速幽加。这 是由于导电本 不同而引起的 半导体通常是由于热激发（见7.3节）产生价电子和空穴而 导电，金属则是由于自由电子的存在而导电。 作为单质半导体的材料要求有很高的纯度。例如，半导体锗的纯度要在99.999999%(8 个“9”)以上。但有时却要掺入少量杂质以改变半导体的导电性能。恰当地掺入某种微量 杂质（即杂）会大大增加半导体的导由件，这是半导休不同干金匠的另一个重要特征。半 导体硅和储中最常用的掺杂元素是第V主族元素磷、 砷、锑和第Ⅲ主旋元素硼等。藉此可 以制成各种半导体器件，将在7.3节中讨论。 2.固体能带理论 金属、半导体和其他许多固体的电子结构可以用固体能带理论来描述。下面介绍的是 以分子轨道理论为基础发展昆来的固体能带理论。它可以解释金匠自由申子模型所不能说 明的许多实验规律和事实。例如，固体材料为何有导体、半导体和绝缘体之分，半导体为 何具有与导体不同的特性 以钠为例，如果两个钠原子形成N分子，按照分子轨道理论，若不考虑内层电子① 两个3s原子轨道可组合形成两个分子轨道：一个能量较低的成键分子轨道和一个能量较高 的反键分子轨道。当原子数增加到很大数目时，由此组合的相应的分子轨道数也很大， 这些分子轨道的能级之间相差极小，几乎连成一片，形成了具有一定上限和下限的能带， 如图7.4 这样，在金属钠晶体中 3s原子轨道之间的相互作用 轨道的能 级发生了分裂，形成3s能带。对于1mo1Na金属，在3s能带中有N(阿佛加德罗常数)个分 子轨道，按泡利不相容原理可容纳2N个电子。而1 molNa金属只有N个电子，只能充满3s 能带中能级较低的一半分子轨道，其他一半是空的。此时，3s能带是未满的能带，简称未 满带，如图7.5(a)左图。 金属晶体中存在这种未满的能带是金属能导电的根本原因。未满带中的电子在外界电 场影响下，并不需要消耗多少能量即能跃入该未满带的空的分子轨道中去，使金属具有导 电性
如 6.1 节所述，金属导体、半导体和绝缘体的主要差别在于电导率的大小。导体非常 容易导电，电导率很大，一般大于 10S·m -1；绝缘体很难，以致全然不导电，电导率小于 10-11S·m -1；而半导体则介于中间，电导率为 10-11～10S·m -1。 非金属单质中，位于周期表 p 区右上部的元素(如 Cl2、O2)及稀有气体元素(如 Ne、Ar) 的单质为绝缘体，位于周期表 p 区对角线附近的元素单质大都具有半导体的性质(见图 6.7)，其中硅和锗是公认最好的，其次是硒，其他半导体单质各有缺点。例如，碘的蒸气 压大、硼的熔点高、磷有毒等，因而应用不多。位于周期表左边的大多数金属及其合金是 导体，已在 6.1 节中讨论过。 非金属元素的化合物中，大多数离子晶体(如 NaCl、KCl、CaO 在固态时)和分子晶体(如 CO2、CCl4)都是绝缘体。一些无机化合物和某些有机化合物是半导体。应用最广的化合物半 导体是所谓Ⅲ-Ⅴ(主)族化合物，以及Ⅱ-Ⅵ族化合物，如 GaAs、InSb、GaP 以及如 ZnO、 CdS、ZnSe 等。此外，SnO2、PbS、PbSe 等也是应用较多的半导体。 若把一些化合物半导体看成是由单质半导体衍生而来，则有助于了解半导体的化学键。 例如可从下列实例中看出： GeGe→GaAs→ZnSe→CuBr (Ⅳ-Ⅳ) (Ⅲ-Ⅴ) (Ⅱ-Ⅵ) (Ⅰ-Ⅶ) 这些具有 8 个价电子①的半导体的化学键，是共价键或共价键与离子键(不是金属键！) 之间的过渡键型(或者说，半导体的化学键除 Ge、Si 等少数共价键外，大多可以看成是由 于极化而引起由离子键向共价键过渡而形成的键)。 与金属的导电情况不同，大多数半导体、绝缘体的电导率随温度升高而迅速增加。这 是由于导电本质不同而引起的，半导体通常是由于热激发(见 7.3 节)产生价电子和空穴而 导电，金属则是由于自由电子的存在而导电。 作为单质半导体的材料要求有很高的纯度。例如，半导体锗的纯度要在 99.999999%(8 个“9”)以上。但有时却要掺入少量杂质以改变半导体的导电性能。恰当地掺入某种微量 杂质(即掺杂)会大大增加半导体的导电性，这是半导体不同于金属的另一个重要特征。半 导体硅和锗中最常用的掺杂元素是第 V 主族元素磷、砷、锑和第Ⅲ主旋元素硼等。藉此可 以制成各种半导体器件，将在 7.3 节中讨论。 2.固体能带理论 金属、半导体和其他许多固体的电子结构可以用固体能带理论来描述。下面介绍的是 以分子轨道理论为基础发展起来的固体能带理论。它可以解释金属自由电子模型所不能说 明的许多实验规律和事实。例如，固体材料为何有导体、半导体和绝缘体之分，半导体为 何具有与导体不同的特性等。 以钠为例，如果两个钠原子形成 Na2分子，按照分子轨道理论，若不考虑内层电子①， 两个 3s 原子轨道可组合形成两个分子轨道：一个能量较低的成键分子轨道和一个能量较高 的反键分子轨道。当原子数增加到很大数目 n 时，由此组合的相应的分子轨道数也很大， 这些分子轨道的能级之间相差极小，几乎连成一片，形成了具有一定上限和下限的能带， 如图 7.4 所示。这样，在金属钠晶体中，由于 3s 原子轨道之间的相互作用，3s 轨道的能 级发生了分裂，形成 3s 能带。对于 1molNa 金属，在 3s 能带中有 NA(阿佛加德罗常数)个分 子轨道，按泡利不相容原理可容纳 2NA个电子。而 1molNa 金属只有 NA个电子，只能充满 3s 能带中能级较低的一半分子轨道，其他一半是空的。此时，3s 能带是未满的能带，简称未 满带，如图 7.5(a)左图。 金属晶体中存在这种未满的能带是金属能导电的根本原因。未满带中的电子在外界电 场影响下，并不需要消耗多少能量即能跃入该未满带的空的分子轨道中去，使金属具有导 电性
彐空能领}3能带 12 3.·以] 原子数 图.4全厘钠中35能带形成示意图 又如，镁的3s能带是全充满的，如图7.5(a)右图，这种能带叫做满带。满带中没有 空轨道，似乎不能导电。但镁的3s能带和3即能带发生部分重叠，3即能带原应是一个没有 电子占据的空带，然而有部分3S能带中的电子 实际上也进入3能带 一个满带和一个空 带相互重叠的结果好像连接成一个范围较大的未满带一样，所以镁和其他碱土金属都是良 导体。 空能级 空带 ■被用未清带 了满带 ①未满的能带 ②满蒂和空帮的部分重叠 ()导体 □}空带☐}空带 带 }禁带 }满带 带 6)半导体 (c)绝缘体 图7.5导体、半导体和绝缘体的能带根型示意图 导体、半导体、绝缘体的能带中电子分布的情况各具有明显的特征，如图7.5所示 导体中存在未满带（由于电子未充满或能带重叠）。绝缘体的特征是价电子所处的能带都是 满带，且满带与相邻的空带之间存在一个较宽的禁带。例如，绝缘体金刚石禁带的能隙(E 为5.2V①（或500kJ·mo1),是个典型的绝缘体。半导体的能带与绝缘体的相似，但半导 体的禁带要狭窄得多（一般在1eV左右）。例如，半导体硅和储的禁带的能隙分别为1.12V 和0.67eV. 典型的半导体硅和者品体存在若另一种能带重吾情祝。品体硅和诺都是金风则石型结构」 每个原子以4个sp杂化轨道成 ，并形成两 可容纳4N 电子的能带 能级较低的 带为满带，能级较高的能带为空，其间同隔若已较小的禁。因而其有典型半导体的能 带结构。 金属的导电主要是通过未满带中的电子来实现的。温度上升时，由于金属中原子和离 子的热振动加剧，电子与它们碰撞的颜率增加，电子穿越晶格的运动受阻，从而导电能力 降低。因此金属电导率随温度升 高而有所下降。绝缘体不能 导电主要是因为禁带的宽度较 般都大于 eV,在一般温度下电了 半导体则由 于带 度较小，一般均小于2~3V,虽然在很低温度时不能导电，但当升高至适当温度（例如室 温)时就可有少数电子藉热激发，跃过禁带而导电。因此，根据能带理论可以说明导体、半 导体和绝缘体导电性的区别 应当指出，绝缘体与半导体的区别不是绝对的。绝缘体在通常情况下是不导电的，但 在相当高的温度或高的电压下， 满带中的电子可能跃过较宽的禁带 而使绝缘体变为半导 体。值得注意，零族元素单质（稀有气体）在高电压下，由于原子中电 子被激发而能导电， 并能发出各种颜色的光，广泛应用于电光源制造。例如，日光灯管是将汞和氩气充入玻璃
又如，镁的 3s 能带是全充满的，如图 7.5(a)右图，这种能带叫做满带。满带中没有 空轨道，似乎不能导电。但镁的 3s 能带和 3p 能带发生部分重叠，3p 能带原应是一个没有 电子占据的空带，然而有部分 3s 能带中的电子实际上也进入 3p 能带。一个满带和一个空 带相互重叠的结果好像连接成一个范围较大的未满带一样，所以镁和其他碱土金属都是良 导体。 导体、半导体、绝缘体的能带中电子分布的情况各具有明显的特征，如图 7.5 所示。 导体中存在未满带(由于电子未充满或能带重叠)。绝缘体的特征是价电子所处的能带都是 满带，且满带与相邻的空带之间存在一个较宽的禁带。例如，绝缘体金刚石禁带的能隙(Eg) 为 5.2eV①(或 500kJ·mol-1 )，是个典型的绝缘体。半导体的能带与绝缘体的相似，但半导 体的禁带要狭窄得多(一般在 1eV 左右)。例如，半导体硅和锗的禁带的能隙分别为 1.12eV 和 0.67eV。 典型的半导体硅和锗晶体存在着另一种能带重叠情况。晶体硅和锗都是金刚石型结构， 每个原子以 4 个 sp 3杂化轨道成键，并形成两组均可容纳 4NA个电子的能带，能级较低的能 带为满带，能级较高的能带为空带，其间间隔着 EA较小的禁带。因而具有典型半导体的能 带结构。 金属的导电主要是通过未满带中的电子来实现的。温度上升时，由于金属中原子和离 子的热振动加剧，电子与它们碰撞的频率增加，电子穿越晶格的运动受阻，从而导电能力 降低。因此金属电导率随温度升高而有所下降。绝缘体不能导电主要是因为禁带的宽度较 大，一般都大于 5eV，在一般温度下电子难以藉热运动而跃过禁带。半导体则由于禁带宽 度较小，一般均小于 2～3eV，虽然在很低温度时不能导电，但当升高至适当温度(例如室 温)时就可有少数电子藉热激发，跃过禁带而导电。因此，根据能带理论可以说明导体、半 导体和绝缘体导电性的区别。 应当指出，绝缘体与半导体的区别不是绝对的。绝缘体在通常情况下是不导电的，但 在相当高的温度或高的电压下，满带中的电子可能跃过较宽的禁带，而使绝缘体变为半导 体。值得注意，零族元素单质(稀有气体)在高电压下，由于原子中电子被激发而能导电， 并能发出各种颜色的光，广泛应用于电光源制造。例如，日光灯管是将汞和氩气充入玻璃