1.6理想导体表面上的边界条件 口理想导体：电导率为无限大的导电媒质 ▣ 特征：电磁场在理想导体内恒为零 设媒质2为理想导体，则E2、D2、H2、 理想导体 B2均为零，故 en·D=ps @①理想导体表面上的电荷密度等于D的法向分量 en·B=0 理想导体表面上B的法向分量为0 en×E=0 理想导体表面上E的切向分量为0 en×i=jg a 理想导体表面上的电流密度等于的切向分量 导波场论
1.6理想导体表面上的边界条件 导波场论 n n n n 0 0 S S e D e B e E e H J 设媒质2为理想导体，则E2、D2、H2、 B2均为零，故 p 理想导体：电导率为无限大的导电媒质 p 特征：电磁场在理想导体内恒为零 理想导体 D S J H 理想导体表面上的电荷密度等于D 的法向分量 理想导体表面上B 的法向分量为0 理想导体表面上 E 的切向分量为0 理想导体表面上的电流密度等于 H 的切向分量 6
1.6良导体的边界条件 口对于非理想的良导体，只要电导率足够高，就可以近似认为电磁场 分布在导体的表面。在表面上电场和磁场的切向分量满足以下关系 Z、=Es/i×Hs ▣可以用来近以描述一：金属波导或谐振腔内物向场的比例关系 Z、=R+Xs 良导体公式 Rs=Xs= 20 表面电阻 表面电抗 导波场论
1.6良导体的边界条件 p 对于非理想的良导体，只要电导率足够高，就可以近似认为电磁场 分布在导体的表面。在表面上电场和磁场的切向分量满足以下关系 ： p 可以用来近似描述一般金属波导或谐振腔内切向场的比例关系 导波场论 ZS ES n HS ZS RS S jX 2 RS XS 表面电阻 表面电抗 良导体公式 7
1.6位函数的边界条件 0 电位函数满足Poisson方程 (龙=-V0) 0 电位的边界条件 en×(E,-E2)=0 9=9 en·(D-D2)=Ps on 002 on -P e。j-j2)=0 o o02 On - 20m 导波场论
1.6位函数的边界条件 导波场论 电位函数满足Poisson方程 电位的边界条件 n 1 2 ( ) S e D D n 1 2 e (J J ) 0 n 1 2 e (E E ) 0 2 1 2 1 2 1 2 1 2 1 2 s n n n n (E) 8
1.6位丞数的边界条件 磁矢位函数满足Poisson方程 VA=-uJ, (B-V×A) ●磁矢位的边界条件 A=4A, e,xv×A-1v×4)=7 4 5 导波场论 9
1.6位函数的边界条件 导波场论 l 磁矢位的边界条件 l 磁矢位函数满足Poisson方程 2 A J, (B=A) A1 A2 1 2 1 2 1 1 ( ) n S e A A J 9
1.7反射与折射 入射面 E 反射波 入射面：入射线与边界面法线构成的平面 入射波 入射角0：入射线与边界面法线之间的夹角 E 分界面 反射角0，：反射线与边界面法线之间的夹角 折射角0：折射线与边界面法线之间的夹角 透射波 均匀平面波对理想介质分界面的斜入射 导波场论 10
1.7反射与折射 导波场论 入射面： 入射线与边界面法线构成的平面 反射角θr：反射线与边界面法线之间的夹角 入射角θi ：入射线与边界面法线之间的夹角 折射角θt：折射线与边界面法线之间的夹角 均匀平面波对理想介质分界面的斜入射 i q r q t q z x y Ei Ei // Ei^ 入射波 反射波 透射波 分界面 入射面 Er// Er^ Er Et^ Et Et // i k r k t k 10