§1-1.半导体基础知识 4本征半导体中载流子的浓度 复合:运动中的电子重新被共价键束缚起来,电子空穴对消失 本征激发T-定 复合动态平衡 n=p: =K, T3/e-Eco/ (2kT) 本征半导体特点:1)导电能力弱 2)热不稳定性热敏元件光敏元件
§1-1．半导体基础知识 4.本征半导体中载流子的浓度 复合：运动中的电子重新被共价键束缚起来，电子空穴对消失。 本征激发 T一定 复合 动态平衡 ni=pi=K1T3/2e -EGO/(2kT) 本征半导体特点：1）导电能力弱 2）热不稳定性 热敏元件、光敏元件
§1-1.半导体基础知识 、杂质半导体 在本征半导体中掺入微量的杂质元素,成为杂质半导体 1N型半导体 在本征半导体中掺入少 量五价元素原子,称为电 子半导体或N型半导体 多数载流子:电子 少数载流子:穴 n>>p
§1-1．半导体基础知识 二、杂质半导体 在本征半导体中掺入微量的杂质元素，成为杂质半导体。 1.N型半导体 在本征半导体中掺入少 量五价元素原子，称为电 子半导体或N型半导体。 多数载流子：电子 少数载流子：空穴 n>>p
§1-1.半导体基础知识 2P型半导体 在本征半导体中入少 量三价元素原子,称为空 穴半导体或P型半导体 多数载流子:空穴 少数载流子:电子 p>>n
§1-1．半导体基础知识 2.P型半导体 在本征半导体中掺入少 量三价元素原子，称为空 穴半导体或P型半导体。 多数载流子：空穴 少数载流子：电子 p>>n
§1-1.半导体基础知识 三、PN结 将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上, 在它们的交界面就形成PN结。 1.PN结的形成 漂移运动: 载流子在电场作用下的定向运动。 扩散运动: 由于浓度差引起的非平衡载流子的运动
§1-1．半导体基础知识 三、PN结 将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上， 在它们的交界面就形成PN结。 1. PN结的形成 漂移运动： 载流子在电场作用下的定向运动。 扩散运动： 由于浓度差引起的非平衡载流子的运动
§1-1.半导体基础知识 多子扩散 形成空间电荷区 方向相反 →建立内电场 动态平衡 →少子漂移
§1-1．半导体基础知识 多子扩散 形成空间电荷区 建立内电场 少子漂移 方向相反 动态平衡 I j = 0