§5-4沉淀的纯度 共沉淀 本身不能单独析出沉淀的物质能随同另一种 沉淀析出的现象 1.表面吸附共沉淀 表面有剩余电荷,吸附 96 构晶离子,形成初级吸附 层,再吸附相反电荷离子 称抗衡离子),形成次级 吸附层,组成了双电层。 初级吸附层次级吸附层
1. 表面吸附共沉淀 初级吸附层 次级吸附层 §5-4 沉淀的纯度 一 . 共沉淀 本身不能单独析出沉淀的物质能随同另一种 沉淀析出的现象 表面有剩余电荷，吸附 构晶离子，形成初级吸附 层，再吸附相反电荷离子 （称抗衡离子），形成次级 吸附层，组成了双电层
抗衡离子 与构晶离子形成溶解度、离解度最小的化合物 离子浓度越大,越易被吸附 离子电荷高的优先吸附 影响因素: ◆颗粒小,比表面积大,吸附杂质多 ◆吸附是放热过程,温度升高,吸附杂质量减小 防止: 洗涤(电解质水,易挥发的沉淀剂)
影响因素： Ø 颗粒小，比表面积大，吸附杂质多 Ø 吸附是放热过程，温度升高，吸附杂质量减小 防止： 洗涤（电解质水，易挥发的沉淀剂） 抗衡离子： • 与构晶离子形成 溶解度、离解度最小的化合物 • 离子浓度越大，越易被吸附 • 离子电荷高的优先吸附
2.吸留或包藏 表面吸附的抗衡离子在沉淀生长时被覆盖包藏 在里面不能洗去,陈化可减小,严重时,需重新 沉淀。 3.混晶 与构晶离子半径相近、形成的晶体结构相似的 离子代替构晶离子形成混晶,不能洗去,应在沉 淀前分离。 BaSO4与PbSO4;BaSO4与KMnO4
2. 吸留或包藏 表面吸附的抗衡离子在沉淀生长时被覆盖包藏 在里面不能洗去，陈化可减小，严重时，需重新 沉淀。 3. 混晶 与构晶离子半径相近、形成的晶体结构相似的 离子代替构晶离子形成混晶，不能洗去，应在沉 淀前分离。 BaSO4 与PbSO4 ; BaSO4 与 KMnO4
∴后沉淀 某组分析出沉淀后,另一种难于析出沉淀的物 质在沉淀表面上析出沉淀的现象。 0.01 mol/L zn2在0.15mol/LHCl中通H2S不 沉淀,如果有Cu2+存在,在CusS沉淀后放置,则 表面上有白色ZnS析出。 沉淀沾污对分析结果的影响 测Ba2+包藏了BaCl2-;吸附HSO4无 SO BC2+; HSO4
0.01mol/L Zn2+在 0.15mol/L HCl 中通H2S 不 沉淀 , 如果有Cu2+ 存在，在CuS沉淀后放置，则 表面上有白色 ZnS析出。 二. 后沉淀 某组分析出沉淀后，另一种难于析出沉淀的物 质在沉淀表面上析出沉淀的现象。 SO42- BaCl2 + ； H2SO4 – 三. 沉淀沾污对分析结果的影响 测 Ba 2+ 包藏了 BaCl2 – ； 吸附 H2SO4 无
四.沉淀的洗涤 用什么洗是关键 HO是最简单的,但易发生胶溶,不常用; 常用电解质水,NHNO3,NHCl,稀沉淀剂 对洗涤液的要求: 不与沉淀反应 例 不与母液中任何 CaC2O40.1%(NH2C204 成分生成沉淀 0.01 mOlL HNO M灼烧时易除去 Fe(OH)3 NHANO 后续分析中不干扰 BaO4沉淀剂稀H2SO
用什么洗是关键 H2O是最简单的，但易发生胶溶，不常用 ; 常用电解质水，NH4NO3 ，NH4Cl ，稀沉淀剂 四. 沉淀的洗涤 a 不与 沉淀反应 a 不与母液中任何 成分生成沉淀 a 灼烧时易除去 a 后续分析中不干扰 对洗涤液的要求： 例： CaC2O4 0.1% (NH4)2C2O4 AgCl 0.01 mol/L HNO3 Fe(OH)3 NH4NO3 BaSO4 沉淀剂 稀H2SO4