导带 o+ E, g 价带 图54-1在外加电压作用下,半导体中的电子在 导带中移动空穴则在价带中朝相反方向移动
图5.4-1在外加电压作用下,半导体中的电子在 导带中移动,空穴则在价带中朝相反方向移动
衰9.2.1重的半导体的性质 迁移率μ 禁带宽度E(m2/V·s)「能带 相对 有效质量 半导体 (ev) 介电 300K 结构 常数 300K0K电子空穴 电子(m,/m)空穴(m,/m) (金刚石) 5.475.510.180.16|Si 0.2 0.25 5.5 0.670.740.380.18|Ge n/m=1.6|ma/m=0.043 me/mo 0.082mh/m=0.32/16.3 1.111.160.145|0.05 Si ma/mo =0. 92 my/mo=0.15 mn/m=0.19mw/mo=0.511.8 0.4130.200.10 GaAs 0,024 0.26 Ⅳ-Ⅳ Sic 3.10.045×10-3Si 0.6 l.0 10 AlSb 1.631.750.090.042GBAs 0.39 0.4 10.3 BN(闪锌矿型)7.5 BP 0.03 6.9 GaN 3.5 0.015 0.19 0.6 0.670.810.4 0.14 GaAs 0.047 m/m=0.05 11.7 mA/m0=0.31 GaA: 1.351.530.850.04GaAs md/m=0.12 0.067 12.9 mM/m=0.71
F 相对 有效质量 半导体 禁带宽度E(m2/V·s)能带 e 介电 300K 结构 常数 300K0K电子空穴 电子(mm0)空穴(m4/m) GaP 2.242.400.030.015Sn/m。=0.25m/mo=0.13 1.7|mM/mo=0.55 nSb 0.170.248.00.045GaAs 0,014 m/m。=0.016 m/m。=0.32/18.7 Ⅲ-V Inas 0.35|0.443.30.045GaAs 0.024 m/mo=O.026 m6/m0=0.41 InP 1.351.4210.450.015GaAs 0.081 m!m=0.12 14 m4/m0=0.58 (纤维锌矿型)/2.41|2.580.0355 GaAs 0.17 10 0.6 10 -Ⅵ Cdso 1.741.840.065 GaAs 0.11 0.45 10 Zno 3440.018 GaAs 0.24 1.8 9 Zns 3.543.830.016 GaAs Pbs 0.37]0.290.060.062 m/mo=0.105m/mo=0.105 m/m=0.080m/mo=0.075/170 Ⅳ-Ⅵ PbTc 0.300.190.170.088 m/mo=0.236mw/mo=0.381 ml/mo=0.024|mm/mo=0.031/400
本征半导体中,通过控制温度来控制载流 子的数量及其导电性。在绝对零度时,所 有的电子都处于价带,导带中的所有能级 都是空的。当温度升高时,电子占据导带 能级的可能性也增加,半导体的导电性也 随之增加。半导体中的导电性与温度的这 种关系刚好与金属相反。在金属中,导电 性是随着温度升高而降低的
本征半导体中，通过控制温度来控制载流 子的数量及其导电性。在绝对零度时，所 有的电子都处于价带，导带中的所有能级 都是空的。当温度升高时，电子占据导带 能级的可能性也增加，半导体的导电性也 随之增加。半导体中的导电性与温度的这 种关系刚好与金属相反。在金属中，导电 性是随着温度升高而降低的
在实际应用中,本征半导体由于两种载流 子的数量相等,显示不出它们彼此的特性。 所以不能用来制作晶体管之类的电子器件。 但是本征半导体对光、射线、温度的作用 非常敏感,使半导体的载流子数量随之发 生明显变化,因此可用来制作一些探测器
在实际应用中，本征半导体由于两种载流 子的数量相等，显示不出它们彼此的特性。 所以不能用来制作晶体管之类的电子器件。 但是本征半导体对光、射线、温度的作用 非常敏感，使半导体的载流子数量随之发 生明显变化，因此可用来制作一些探测器