第三节磁表面存储器 5.3.1存储原理与技术指标 读写原理 存储介质:磁层 读/写部件:磁头 (1)写入 在磁头线圈中加入磁化电流(写电流),并 使磁层移动,在磁层上形成连续的小段磁化 区域(位单元)。 (2)读出 磁通变化的区域 磁头线圈中不加电流,磁层移动。当位单元的转 变区经过磁头下方时,在线圈两端产生感应电势。 读出信号
第三节 磁表面存储器 5.3.1 存储原理与技术指标 1.读写原理 存储介质：磁层 读/写部件：磁头 （1）写入 在磁头线圈中加入磁化电流（写电流），并 使磁层移动，在磁层上形成连续的小段磁化 区域（位单元）。 （2）读出 磁头线圈中不加电流，磁层移动。当位单元的转 变区经过磁头下方时，在线圈两端产生感应电势。 读出信号 磁通变化的区域
2.技术指标 1)记录密度{道密度单位长度内的磁道数 位密度:磁道上单位长度内的 二进制代码数。 (2)存储容量/非格式化容量:总位数 用位密度计算。 格式化容量:有效位数 用扇区內的数据块 (3)速度指标 长度计算。 带:平均等待时间 平均存取时间 盘:平均定位、平均旋转时间 衡量查找速度 ms 数据传输率衡量读/写速度b/s、B/s
2.技术指标 （1）记录密度 道密度： （2）存储容量 位密度： 单位长度内的磁道数。 磁道上单位长度内的 二进制代码数。 非格式化容量： 格式化容量： 总位数 用位密度计算。 有效位数 用扇区內的数据块 （3）速度指标 长度计算。 平均存取时间 带：平均等待时间 盘：平均定位、平均旋转时间 衡量查找速度 ms 数据传输率 衡量读/写速度 b/s、B/s
5.3.2磁记录方式 定义 写电流波形的组成方式。 提高可靠性:增大写波幅度,以提高读出 解决 信号幅度。 提高记录/减少转变区数目,使位单 元长度缩短。 具有自同步能力,使位单 内同步,即能从自身读出元长度缩短 信号序列中提取同步信号, 以区分位单元。 2实用记录方式的特点与应用
5.3.2 磁记录方式 1.定义 写电流波形的组成方式。 解决 提高可靠性：增大写波幅度，以提高读出 信号幅度。 内同步，即能从自身读出 信号序列中提取同步信号， 以区分位单元。 提高记录密度 减少转变区数目，使位单 元长度缩短。 具有自同步能力，使位单 元长度缩短。 2.实用记录方式的特点与应用
(1)不归零-1制(NRZ1) 001 t 写1时电流变,写0时电流不变。 转变区少,无自同步能力。用于早期低速磁带机。 (2)调相制(PE) 0 0 写1时电流正跳变,写0时电流负跳变。 转变区多,有自同步能力。用于常规磁带机。 (3)调频制(FM t 写1时电流变二次,写0时电流变一次。 转变区多,有自同步能力。用于早期磁盘
（1）不归零-1制（NRZ1） 写1时电流变，写0时电流不变。 0 0 1 1 0 1 I 0 t 转变区少，无自同步能力。用于早期低速磁带机。 （2）调相制（PE） I 0 t 0 0 1 1 0 1 写1时电流正跳变，写0时电流负跳变。 转变区多，有自同步能力。 用于常规磁带机。 （3）调频制（FM） I 0 t 0 0 1 1 0 1 写1时电流变二次，写0时电流变一次。 转变区多，有自同步能力。 用于早期磁盘
(3)调频制(FM t (4)改进型调频制(MFM) 001 01 写1时位单元中间电流变,相邻的0交界处电流变。 转变区少,有自同步能力。用于磁盘。 可压缩位单元长度: t (5)群码制(GCR) 记录码中连续的0不超过2个;记录码按NRZ1方式写入。 转变区少,有自同步能力。用于数据流磁带机
（3）调频制（FM） I 0 t 0 0 1 1 0 1 写1时位单元中间电流变，相邻的0交界处电流变。 转变区少，有自同步能力。 用于磁盘。 （4）改进型调频制（MFM） I 0 t 0 0 1 1 0 1 可压缩位单元长度： I 0 t 0 0 1 1 0 1 （5）群码制（GCR） 记录码中连续的0不超过2个；记录码按NRZ1方式写入。 转变区少，有自同步能力。用于数据流磁带机