(100】 (110) 111) 硅晶体三个主要晶面的原子排列示意图 (100) 晶面 (110)晶面 (111)晶面 硅晶体三个主要晶面的硅原子化学键示意图 硅晶体100}、110}、111}三个主要晶面的原子排 列和硅原子的化学键《背键和悬挂键
硅晶体{100}、{110}、{111}三个主要晶面的原子排 列和硅原子的化学键（背键和悬挂键）
1、硅晶体中{111}晶面的硅原子密度最大，而且 {111}晶面上的一个硅原子与次表面的三个硅原子 形成背键，还有一个悬挂键 。 2、{100}晶面的硅原子密度次大，其上的一个硅原 子与次表面上的两个硅原子形成两个背键，还有 两个悬挂键 3、{110}晶面的原子密度最小，其上的一个硅原子 与次表面上的一个硅原子形成一个背键，同时与 表面原子形成两个背键，还有一个悬挂键
1、硅晶体中{111}晶面的硅原子密度最大，而且 {111}晶面上的一个硅原子与次表面的三个硅原子 形成背键，还有一个悬挂键。 2、{100}晶面的硅原子密度次大，其上的一个硅原 子与次表面上的两个硅原子形成两个背键，还有 两个悬挂键 3、{110}晶面的原子密度最小，其上的一个硅原子 与次表面上的一个硅原子形成一个背键，同时与 表面原子形成两个背键，还有一个悬挂键
<100 钻蚀 各向同性湿法腐蚀 各向异性湿法腐蚀 各向异性湿法腐蚀是指腐蚀剂对某一晶向的腐蚀速 率高于其他方向的腐蚀速率。腐蚀结果的形貌由腐 蚀速率最慢的晶面决定。基于这种腐蚀特性，可在 硅衬底上加工出各种各样的微结构。各向异性湿法 腐蚀所用的腐蚀液通常对硅的腐蚀速率都比较小， 般在每分钟1m左右
各向异性湿法腐蚀是指腐蚀剂对某一晶向的腐蚀速 率高于其他方向的腐蚀速率。腐蚀结果的形貌由腐 蚀速率最慢的晶面决定。基于这种腐蚀特性，可在 硅衬底上加工出各种各样的微结构。各向异性湿法 腐蚀所用的腐蚀液通常对硅的腐蚀速率都比较小， 一般在每分钟 1µm 左右
常用的化学腐蚀试剂一般分为两类，一类是无机腐 蚀剂，包括氢氧化钾(KOH)、氢氧化钠(NaOH )、氢氧化铵(NH4OH)等，另一类是有机腐蚀 剂，包括EDP(乙二胺邻苯二酚)、四甲基氢氧化 铵（简称TMAH(CH3)4OH)和联胺等 在选择腐蚀剂时，通常需要考虑以下几个因素： (1)操作的方便性； (2) 无毒性； (3)腐蚀速率适当； (4) 能得到希望的腐蚀底面拓扑结构； (5) 具有IC兼容性； (6) 能实现腐蚀自停止； (7) 和其他材料具有一定的腐蚀选择比； (8)掩膜材料和厚度容易得到
• 常用的化学腐蚀试剂一般分为两类，一类是无机腐 蚀剂，包括氢氧化钾（KOH）、氢氧化钠（NaOH ）、氢氧化铵（NH4OH）等，另一类是有机腐蚀 剂，包括 EDP（乙二胺邻苯二酚）、四甲基氢氧化 铵（简称 TMAH[(CH3)4OH]）和联胺等。 在选择腐蚀剂时，通常需要考虑以下几个因素： （1）操作的方便性； （2）无毒性； （3）腐蚀速率适当； （4）能得到希望的腐蚀底面拓扑结构； （5）具有 IC 兼容性； （6）能实现腐蚀自停止； （7）和其他材料具有一定的腐蚀选择比； （8）掩膜材料和厚度容易得到
{110}硅片上的111}面 {110}晶面是硅片上用途最广泛的晶面之一。由于 <110>晶向的硅片上存在若干与硅片表面垂直的{111} 面，因此，通过湿法腐蚀得到高深宽比结构是{110}硅 的主要用途之一。 01) 34.5 11D (111) (T11) afD 70.53 (ID
{110}晶面是硅片上用途最广泛的晶面之一。由于 <110>晶向的硅片上存在若干与硅片表面垂直的{111} 面，因此，通过湿法腐蚀得到高深宽比结构是{110}硅 的主要用途之一