Dawnload from 回45 Dreamstime.com 回6 reeevD-rtsteoon 3D 2D 1D OD 图1.1不同维度的石墨烯示意图3]
第二章、纳米结构制作技术 一、 光刻技术 目前纳米结构制作的主要途径是采用光刻手段在 物体上制作纳米量级图形。 随着光学光刻的极限分辨率可以达到光源波长的 一半，193nm波长的光源分辨率则可以达到100nm, 157nm波长的光源分辨率将达到70nm。而由于深紫 外线能被各种材料强烈吸收，继续缩短波长将难 以找到制作光学系统的材料
第二章 、纳米结构制作技术 • 一、光刻技术 • 目前纳米结构制作的主要途径是采用光刻手段在 物体上制作纳米量级图形。 • 随着光学光刻的极限分辨率可以达到光源波长的 一半，193nm波长的光源分辨率则可以达到100nm， 157nm波长的光源分辨率将达到70nm。而由于深紫 外线能被各种材料强烈吸收，继续缩短波长将难 以找到制作光学系统的材料
三、硅各项异性湿法刻蚀 微机械和微机电系统中使用得最多的材料是硅， 单晶硅的(100)、（110)和(111)晶面具有各向异性 的特性，在使用“KOH+H2O”作为腐蚀剂时， (100)、(110)、(111)晶面的蚀刻速率比大致为 400:100:1。可以应用各向异性刻蚀法加工立 体微硅器件。现在立体光刻腐蚀加工技术已是制 造三维立体微硅器件的最基本方法之一。 各向异性湿法腐蚀是指腐蚀剂对某一晶向的腐蚀 速率高于其他方向的腐蚀速率。腐蚀结果的形貌 由腐蚀速率最慢的晶面决定
• 微机械和微机电系统中使用得最多的材料是硅， 单晶硅的(100)、(110)和(111)晶面具有各向异性 的特性，在使用“KOH+H2O”作为腐蚀剂时， (100) 、(110)、(111)晶面的蚀刻速率比大致为 400：100：1。可以应用各向异性刻蚀法加工立 体微硅器件。现在立体光刻腐蚀加工技术已是制 造三维立体微硅器件的最基本方法之一。 • 各向异性湿法腐蚀是指腐蚀剂对某一晶向的腐蚀 速率高于其他方向的腐蚀速率。腐蚀结果的形貌 由腐蚀速率最慢的晶面决定
硅晶体是具有共价键的金刚石立方结构，与碳具有相同的 原子排列，属于一般的闪锌矿型结构类。硅原子的四个共 价键形成一个正四面体，这些正四面体重复排列，构成金 刚石立方结构。 109*28
• 硅晶体是具有共价键的金刚石立方结构，与碳具有相同的 原子排列，属于一般的闪锌矿型结构类。硅原子的四个共 价键形成一个正四面体，这些正四面体重复排列，构成金 刚石立方结构
硅晶体结构 +4 +4】 两个电子的共价键 ● 4】 +4 (+4 正离子核 +4 S引晶体结构平面示意图 硅晶体的立体结构示意图 面心立方晶体
Si晶体结构平面示意图 面心立方晶体