晶体中缺陷分类 各种分类方法： ·化学计量缺陷，缺陷产生没有引起组分变化；非 化学计量缺陷，与此相反。 ·根据“缺陷”的尺度，点缺陷，只涉及一个原子 或位置；线缺陷，面缺陷，体缺陷。非点缺陷又 被称为扩展缺陷(extended defect)。 ·结构缺陷和电子缺陷：结构缺陷，晶体结构上的 不完美，比如空位、位错、晶界。电子缺陷：一 些结构缺陷（比如点缺陷）的产生相关的可以在 晶格中相对自由移动的电子或空穴
晶体中缺陷分类 各种分类方法： • 化学计量缺陷，缺陷产生没有引起组分变化；非 化学计量缺陷 ，与此相反 。 • 根据“缺陷”的尺度，点缺陷，只涉及一个原子 或位置；线缺陷，面缺陷，体缺陷。非点缺陷又 被称为扩展缺陷（extended defect) 。 • 结构缺陷和电子缺陷：结构缺陷，晶体结构上的 不完美 ，比如空位 、位错 、晶界 。电子缺陷：一 些结构缺陷（比如点缺陷）的产生相关的可以在 晶格中 自 动 子 相对 自由移 动的电 子或空穴
原子晶体中的缺陷 Self interstitial Vacancy Substitutional impurity atom Interstitial impurity atom
原子晶体中的缺陷
原子晶体中的缺陷 取代杂质原子 间隙杂质原子缺陷 substitutional interstitial dopant dopant 空位 空位簇 Vacancies Vacancy cluster 刃型位错线 dislocation 杂质原子沉淀（相）
原子晶体中的缺陷
离子晶体中的缺陷 interstitial cation Cation vacancy substitutional dopant Grain hydrogen boundaries Vacancies dislocation 0 ● Ordered interstitial Substitutional interstitial Anion anion-vacancies dopant dopant and anion anion vacancy pair vacancy
离子晶体中的缺陷
第二节非点缺陷
第二节 非点缺陷