离子镀 引|言 ■定义 离子镀是一种在基片上施加偏压, 即在离子对基片和薄膜发生持续轰击的条件 下制备薄膜的PVD技术 在离子镀的过程中,沉积前和沉积过程中的 基片和薄膜表面经受着相当数量的高能离子 流和大量的高能中性物质的轰击 离子镀可以被看成是一种混合型的薄膜制备 方法—它兼有蒸发法和溅射法的优点
◼ 定义 ⎯⎯ 离子镀是一种在基片上施加偏压, 即在离子对基片和薄膜发生持续轰击的条件 下制备薄膜的PVD技术 ◼ 在离子镀的过程中，沉积前和沉积过程中的 基片和薄膜表面经受着相当数量的高能离子 流和大量的高能中性物质的轰击 ◼ 离子镀可以被看成是一种混合型的薄膜制备 方法 ⎯⎯ 它兼有蒸发法和溅射法的优点 离子镀 —— 引言
最有代表性的 二极直流放 工作当棒 电离子镀装 置的示意图 调子体 离子镀的两个基本条 直:2 ●要有一个具有偏 置电压的气体放 电空间 要使被沉积的物 质(金属原子 样国 气体分子)在放 子发 古弹 电空间内部分离 蒸发和溅射法的结合
最有代表性的 二极直流放 电离子镀装 置的示意图 蒸发和溅射法的结合 离子镀的两个基本条 件： ⚫ 要有一个具有偏 置电压的气体放 电空间 ⚫ 要使被沉积的物 质（金属原子、 气体分子）在放 电空间内部分离 化 —— ——
二极直流放电离子镀的操作环境 使用电子束蒸发法提供沉积所需的物质 ◆以衬底作为阴极、整个真空室作为阳极组成 个类似于二极溅射装置的放电系统 ◆真空室内充入0.1-1.0Pa的Ar气 ◆在沉积前和沉积中,采用高能量的离子流对衬 底和薄膜表面进行持续的轰击
◆ 使用电子束蒸发法提供沉积所需的物质 ◆ 以衬底作为阴极、整个真空室作为阳极组成一 个类似于二极溅射装置的放电系统 ◆ 真空室内充入0.1-1.0Pa的Ar气 ◆ 在沉积前和沉积中，采用高能量的离子流对衬 底和薄膜表面进行持续的轰击 二极直流放电离子镀的操作环境
二极直流放电离子镀的操作环境(续) ◆在薄膜沉积前,在阴阳两极之间施加2~5kV的电 压,使气体发生辉光放电,产生等离子体。Ar 离子在电压驱动下对衬底进行轰击 ◆在不间断离子轰击的情况下开始物质的蒸发沉 积过程。蒸发出来的粒子将与等离子体发生相 互作用。由于A的电离能比被蒸发元素的电离 能更高,因而在等离子体内将会发生A离子与 蒸发原子之间的电荷交换,蒸发原子发生部分 的电离 含有相当数量离子的蒸发物质在两极间被加速 ,并带着相应的能量轰击薄膜。但离子轰击产 生的溅射速率要低于蒸发沉积的速率
◆ 在薄膜沉积前，在阴阳两极之间施加25kV的电 压，使气体发生辉光放电，产生等离子体。Ar 离子在电压驱动下对衬底进行轰击 ◆ 在不间断离子轰击的情况下开始物质的蒸发沉 积过程。蒸发出来的粒子将与等离子体发生相 互作用。由于Ar的电离能比被蒸发元素的电离 能更高，因而在等离子体内将会发生Ar离子与 蒸发原子之间的电荷交换，蒸发原子发生部分 的电离 ◆ 含有相当数量离子的蒸发物质在两极间被加速 ，并带着相应的能量轰击薄膜。但离子轰击产 生的溅射速率要低于蒸发沉积的速率 二极直流放电离子镀的操作环境（续）
离子镀时发生的微观效应 离子镀过程中,离子轰击将导致发生多个重要 的物理效应: (1)表面物质的溅射效应 (2)离子注入、在溥膜中诱发缺陷 (3)使薄膜形貌与成分发生变化 (4)使界面成分混杂 (5)气体原子的溶入 (6)基片温度升高 (7)改变薄膜的应力状态,等
离子镀过程中，离子轰击将导致发生多个重要 的物理效应: （1）表面物质的溅射效应 （2）离子注入、在薄膜中诱发缺陷 （3）使薄膜形貌与成分发生变化 （4）使界面成分混杂 （5）气体原子的溶入 （6）基片温度升高 （7）改变薄膜的应力状态，等 离子镀时发生的微观效应