讨论: E tan e, tan 0, tan e,y y tan 0 y2,,,, 若y2→>∞,则61→>0。 在理想导体表面上,J和E都垂直于边 E 界面。 静电场和恒定电场性质比较: 相同点≯场性质相同,均为保守场 场均不随时间改变 →均不能存在于理想导体内部 ■不同点≯源不同。静电场的源为静止电荷,恒定电场的源为 运动电荷 存在区域不同。静电场只能存在于导体外,恒定电 场可以存在于非理想导体内
2 1 E2 n E1 2 1 2 J 1 J 1 2 1 1 1 2 2 2 tan tan tan tan = = 若 2 → ,则 1 → 0 。 在理想导体表面上， 和 都垂直于边 界面。 J E 静电场和恒定电场性质比较： 场性质相同，均为保守场 场均不随时间改变 均不能存在于理想导体内部 源不同。静电场的源为静止电荷，恒定电场的源为 运动电荷 存在区域不同。静电场只能存在于导体外，恒定电 场可以存在于非理想导体内 讨论： 相同点： 不同点：
b U=E1·t+|E,t (n b-Ina)+.(nc-In b) 2m1 2丌y →I 2TY1n2Uo r2In(b/a)+r, In(c/b) nira a<7<C In2 In(6/a)+n,In(c/b]r n2 n In, In(b/a)+r, In(c/ b)]r a<7< E r, lr, In(b/a)+r, In(c/b]r (6<r<c) E、·r (6<r<c) E,dr+ E dr (a<r<b)
1 2 b c a b U E dr E dr = + 1 2 (ln ln ) (ln ln ) 2 2 I I b a c b = − + − 1 2 0 2 1 2 ln( / ) ln( / ) U I b a c b = + 1 2 0 2 1 ( ) [ ln( / ) ln( / )] U J a r c b a c b r = + 2 0 1 1 2 1 ( ) [ ln( / ) ln( / )] r J U E e a r b b a c b r = = + 1 0 2 2 2 1 ( ) [ ln( / ) ln( / )] r J U E e b r c b a c b r = = + 2 2 ( ) c r = = E dr b r c 1 1 2 ( ) b c r b = + = E dr E dr a r b