N-S No ●NN,的大小主要与“波长”及“温度有关。即 ● a)当温度保持不变时：激发能hy小或波长大， N,N则大，即波长长的原子处于激发态的数目多； 但在AAS中，波长不超过600nm,换句话说，激发 能对NNo的影响有限！ ·b)温度增加，则NN。大，即处于激发态的原子数 增加；且NW随温度T增加而呈指数增加。 2011/12/27 石河子大学化学化工学院 11
2011/12/27 石河子大学化学化工学院 11 Ni /N0 的大小主要与“波长” 及“温度”有关。即 a）当温度保持不变时：激发能(h)小或波长大， Ni /N0则大，即波长长的原子处于激发态的数目多； 但在 AAS 中，波长不超过600nm，换句话说，激发 能对 Ni /N0的影响有限！ b）温度增加，则 Ni /N0 大，即处于激发态的原子数 增加；且Ni /N0随温度T 增加而呈指数增加。 ) kT E ( 0 i 0 i i e g g N N
尽管原子的激发电位和温度T使NN。值有数量级的变化，但N N。值本身都很小。或者说，处于激发态的原子数小于处于基态的原子 数！ 实际工作中，T通常小于3000K、波长小于600m,故对大多数元素 来说N,N,均小于1%，N与N。相比可勿略不计，N。可认为就是原子总 数。 总之，AAS对T的变化迟钝，或者说温度对AAS分析的影响不大」 而AES因测定的是激发态原子发射的谱线强度，故其激发态原子数 直接影响谱线强度，从而影响分析的结果。也就是说，在AES中须严 格控制温度。 2011/12/27 石河子大学化学化工学院 12
2011/12/27 石河子大学化学化工学院 12 尽管原子的激发电位和温度 T 使 Ni /N0 值有数量级的变化，但 Ni /N0 值本身都很小。或者说，处于激发态的原子数小于处于基态的原子 数！ 实际工作中，T 通常小于3000K、波长小于 600nm，故对大多数元素 来说Ni /N0 均小于1％，Ni 与N0 相比可勿略不计，N0 可认为就是原子总 数。 总之，AAS 对 T 的变化迟钝，或者说温度对 AAS 分析的影响不大！ 而 AES 因测定的是激发态原子发射的谱线强度，故其激发态原子数 直接影响谱线强度，从而影响分析的结果。也就是说，在 AES 中须严 格控制温度
三、吸收线的谱线轮廓与变宽 以频率为y,强度为o的光通过原子蒸汽，其中一 部分光被吸收，使该入射光的光强降低为/，： 原子蒸气 Lv=Io·exp(-K,I) =0.434K,1 A=坞1 河子大学化学化1
2011/12/27 石河子大学化学化工学院 13 三、吸收线的谱线轮廓与变宽 exp( ) 0 I I K l 以频率为，强度为 I0 的光通过原子蒸汽，其中一 部分光被吸收，使该入射光的光强降低为 I ： K l I I A lg 0.434 0
888。 吸收系数K,将随着光源的辐射频率而改变(K,不 是常数)，透过光的强度I,随着光的频率而有所变 化，其变化规律如下图。在频率V。处透过的光最 少，亦即吸收最大。 A Ig- 0=0.434K1 Vo K,V(谱线轮廊廓) 2011/12/27 石河子大学化学化工学院
2011/12/27 石河子大学化学化工学院 14 吸收系数Kv 将随着光源的辐射频率而改变(Kv不 是常数)，透过光的强度 I v 随着光的频率而有所变 化，其变化规律如下图。在频率v0 处透过的光最 少，亦即吸收最大。 K0 /2 K K0 0 K~ （谱线轮廓） K l I I A lg 0.434 0
这称为原子蒸气在特征频率Vo 处有吸收线。由此可见，吸收 线具有一定的宽度，称之为谱 Ko 线轮廓。（谱线强度随v的变化） 吸收线轮廓可用吸收线的中心 Ko/2 频率和半宽度来表征，中心频 率用V。、中心波长用入表 示，半宽度用△V或△入表 征，峰值吸收一半处的频率或 波长称吸收线的半宽度，约为 Kv~V（谱线轮廓) 10-3.10-2nm 2011/12/27 石河子大学化学化工学院 15
2011/12/27 石河子大学化学化工学院 15 这称为原子蒸气在特征频率 v0 处有吸收线。由此可见，吸收 线具有一定的宽度，称之为谱 线轮廓。(谱线强度随v的变化) 吸收线轮廓可用吸收线的中心 频率和半宽度来表征，中心频 率 用ν0 、中心波长用λ0表 示，半宽度用Δν或Δλ表 征，峰值吸收一半处的频率或 波长称吸收线的半宽度，约为 10-3~10-2nm K0 /2 K K0 0 K~ （谱线轮廓）