以光刻技术在薄膜表面获得图形 Sio Si substrate 若要在S器件表面制备如图所示的SO2图形,就需 要求助于光刻技术
以光刻技术在薄膜表面获得图形 若要在Si器件表面制备如图所示的SiO2图形，就需 要求助于光刻技术 Si
光刻所用的掩膜 MauL A 掩膜的示意图 franky unman Cker too plte 掩膜由高度平整的紫外石英玻璃和它上面由电子束刻蚀形 成的Cr薄膜图形所组成,前者可以透过紫外线,而后者 将对紫外线发生强烈的吸收
光刻所用的掩膜 掩膜的示意图 掩膜由高度平整的紫外石英玻璃和它上面由电子束刻蚀形 成的Cr薄膜图形所组成，前者可以透过紫外线，而后者 将对紫外线发生强烈的吸收
半导体技术中所采用的光刻技术 Si片 暴光 氧化:形成Si0,层 溶解:去除部分光刻胶 加热:光刻胶固化 涂敷:涂光刻胶 加热:光刻胶预固化 SO2层的刻 掩膜对准 溶解或灰化:去除光刻胶 不仅SO2,其他的材料,如Si,A,也可由光刻方法进行刻蚀
半导体技术中所采用的光刻技术 Si片 氧化：形成SiO2层 涂敷：涂光刻胶 加热：光刻胶预固化 掩膜对准 暴光 溶解：去除部分光刻胶 加热：光刻胶固化 SiO2层的刻蚀 溶解或灰化：去除光刻胶 不仅SiO2 , 其他的材料,如Si, Al, 也可由光刻方法进行刻蚀
Automatic coat and develop track 依次可完成清洗、涂胶、暴光、刻蚀等工序
Automatic coat and develop track 依次可完成清洗、涂胶、暴光、刻蚀等工序
光刻过程中的暴光方法 Condenser Cr on glass reducton liCs imsa in rest co wafer 暴光可采用接触式、非接触式、以及投影式的形式。在后 者的情况下,可对掩膜的图形缩小~10倍
光刻过程中的暴光方法 暴光可采用接触式、非接触式、以及投影式的形式。在后 者的情况下，可对掩膜的图形缩小10倍