4双极结型三极管及放大电路基础 4.1 BJT 4.2基本共射极放大电路 4.3放大电路的分析方法 4.4放大电路静态工作点的稳定问题 4.5共集电极放大电路和共基极放大电路 4.6组合放大电路 *4.7放大电路的频率响应 *4.8单级放大电路的瞬态响应
4.1 BJT 4.3 放大电路的分析方法 4.4 放大电路静态工作点的稳定问题 4.5 共集电极放大电路和共基极放大电路 4.2 基本共射极放大电路 4.6 组合放大电路 *4.7 放大电路的频率响应 *4.8 单级放大电路的瞬态响应
4.1 BJT 4.1.1BJT的结构简介 4.1.2放大状态下BJT的工作原理 4.1.3BJT的V-I特性曲线 4.1.4BJT的主要参数 4.1.5温度对BJT参数及特性的影响
4.1 BJT 4.1.1 BJT的结构简介 4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 4.1.3 BJT的V-I 特性曲线 4.1.4 BJT的主要参数 4.1.5 温度对BJT参数及特性的影响
4.1.1BJT的结构简介 (c) d (a小功率管 (b)小功率管 (c)大功率管 (d中功率管
4.1.1 BJT的结构简介 (a) 小功率管 (b) 小功率管 (c) 大功率管 (d) 中功率管
4.1.1BJT的结构简介 基区很薄，掺 半导体三极管的结 c集电 杂浓度很低 c集电极 构示意图如图所示。 N P 它有两种类型：NPN型 集电区 集电区 一集电结 b 集电区比 和PNP型。 基极 基E 发射区面 发射结 发射区 积大 (a)NPN型管结构示意图 e发身 发射区比集电☒ 发射极 (b)PNP型管结构示意图 创 掺杂浓度高得多 (c)NPN管的电路符号 (d)PNP管的电路符号 (c) (d)
半导体三极管的结 构示意图如图所示。 它有两种类型:NPN型 和PNP型。 4.1.1 BJT的结构简介 (a) NPN型管结构示意图 (b) PNP型管结构示意图 (c) NPN管的电路符号 (d) PNP管的电路符号 基区很薄，掺 杂浓度很低 发射区比集电区 掺杂浓度高得多 集电区比 发射区面 积大
4.1.1BJT的结构简介 集成电路中典型NPN型BJT的截面图 b SiO 铝 隔离 外延层 N 埋层 基极 硅衬底
集成电路中典型NPN型BJT的截面图 4.1.1 BJT的结构简介