少A以1 第五章PN结 §1PN结的基本物理概念 §2PN结的电流电压特性 §3PN结的电容效应 §4PN结的隧道效应 §5PN结的光生伏特效应 2021/130 Semiconductor Physic
中国科学技术大学物理系微电子专业 Semiconductor Physics 2021/1/30 1 第五章 PN结 §1 PN结的基本物理概念 §2 PN结的电流电压特性 §3 PN结的电容效应 §4 PN结的隧道效应 §5 PN结的光生伏特效应
中国科学技术大学物理系微电子专业 PN结 半导体器件基本结构之 半导体器件主要有67种,还有110个相关 的变种,但都是由少数的几个基本结构构成: PN结 M/S金半结(金属半导体接触) ■MOS结构 异质结 2021/130 Semiconductor Physic
中国科学技术大学物理系微电子专业 Semiconductor Physics 2021/1/30 2 PN结 ——半导体器件基本结构之一 半导体器件主要有67种，还有110个相关 的变种，但都是由少数的几个基本结构构成： ◼ PN结 ◼ M/S金半结（金属半导体接触） ◼ MOS结构 ◼ 异质结
少A以1 §1N结的基本物理概念 (1)PN结的分类 (2)PN结的制作工艺 (3)PN结的基本概念 (4)PN结的热平衡条件 2021/130 Semiconductor Physic
中国科学技术大学物理系微电子专业 Semiconductor Physics 2021/1/30 3 §1 PN结的基本物理概念 (1) PN结的分类 (2) PN结的制作工艺 (3) PN结的基本概念 (4) PN结的热平衡条件
中国科学技术大学物理系微电子专业 ★PN结的分类 中PN结的形成 控制同一块半导体的掺杂,形成PN结 (合金法;扩散法;离子注入法等) ◆在p(n)型半导体上外延生长n(型半导体 同质结和异质结 ◆由导电类型相反的同一种半导体单晶材 料组成的PN结同质结 由两种不同的半导体单晶材料组成的 结一异质结 2021/130 Semiconductor Physic
中国科学技术大学物理系微电子专业 Semiconductor Physics 2021/1/30 4 ★ PN结的分类 ◼ PN结的形成 ♦控制同一块半导体的掺杂,形成PN结 (合金法; 扩散法; 离子注入法等) ♦在p(n)型半导体上外延生长n(p)型半导体 ◼ 同质结和异质结 ♦由导电类型相反的同一种半导体单晶材 料组成的PN结--同质结 ♦由两种不同的半导体单晶材料组成的 结—异质结
中国科学技术大学物理系微电子专业 工艺简介: ◆合金法一合金烧结方法形成pn结 ◆扩散法一高温下热扩散进行掺杂 ◆离子注入法一将杂质离子轰击到半导体基片 中掺杂分布主要由离子剂量和注入离子的能量 决定(典型的离子能量是30-300keV注入剂 量是在1011-1016离子数/cm2范围),用于形 成浅结 ■PN结根据杂质分布的特点可分为: ◆突变结适用于离子注入浅结扩散和外延生长,x<1um ◆线性缓变结适用于深结扩散,X>3um 2021/130 Semiconductor Physic
中国科学技术大学物理系微电子专业 Semiconductor Physics 2021/1/30 5 ◼ 工艺简介: ♦ 合金法—合金烧结方法形成pn结 ♦ 扩散法—高温下热扩散,进行掺杂 ♦离子注入法—将杂质离子轰击到半导体基片 中掺杂分布主要由离子剂量和注入离子的能量 决定（典型的离子能量是30-300keV,注入剂 量是在1011-1016离子数/cm2范围），用于形 成浅结 ◼ PN结根据杂质分布的特点可分为: ♦ 突变结 适用于离子注入浅结扩散和外延生长，Xj<1um ♦ 线性缓变结 适用于深结扩散， Xj>3um