题目:半导体异质结的发展 及其性质的讨论
题目：半导体异质结的发展 及其性质的讨论
pn结是在一块半导体中用掺杂的办法 做成两个导电类型不同的部分。一般pn 咭的两边是用同一种材料做成的,也称 为“同质结”。广义上说,如果结两边 是用不同的材料制成,就称为“异质 洁”,但一般所说的指两种不同半导体 材料的接触构成的半导体异质结。根据 结两边的半导体材料的导电类型,异质 结可分为两类:反型异质结(pn,np) 和同型异质结(nn,pp)。另外,异质 结又可分为突变型异质结和缓变型异质 结,当前人们研究较多的是突变型异质
pn结是在一块半导体中用掺杂的办法 做成两个导电类型不同的部分。一般pn 结的两边是用同一种材料做成的，也称 为“同质结”。广义上说，如果结两边 是用不同的材料制成，就称为“异质 结”，但一般所说的指两种不同半导体 材料的接触构成的半导体异质结。根据 结两边的半导体材料的导电类型，异质 结可分为两类：反型异质结(p-n，n-p) 和同型异质结(n-n，p-p)。另外，异质 结又可分为突变型异质结和缓变型异质 结，当前人们研究较多的是突变型异质 结
主要内容: 异质结器件的发展过程□ ■异质结结构的物理性质 当前的一些研究进展
主要内容： ◼ 异质结器件的发展过程 ◼ 异质结结构的物理性质 ◼ 当前的一些研究进展
pn结是组成集成电路的主要细胞,50年代pn结晶体管的发明及其后的发 展奠定了现代电子技术和信息革命的基础 1947年12月,巴 W.H布喇頓和w肖克萊发眀点接触晶体管 1949年肖克莱提出pn结理论,也称为理想pn结的肖克莱方程 Js(eqv/kt. 1) 其中j=q(oD/Ln+pnD/L) 1957年,克罗默指出有导电类型相反的两种半导体材料制成 异质结,比同质结具有更高的注入效率 1962年, Anderson提出了异质结的理论模型,他理想的假定 两种半导体材料具有相冋的晶体结构,晶格常数和热膨胀系数,基本说明 了电流输运过程。 1968年美国的贝尔实验室和苏联的约飞研究所都宣布做成了GaAs AGa1xs双异质结激光器 在70年代里,液向外延(LPE,汽相外延(VPE),金属有机化学 气相沉积(MOVD)和分子束外延(MBE)等先进的材料成长方法相 继出现,使异质结的生长日趋完善
◼ pn结是组成集成电路的主要细胞，50年代pn结晶体管的发明及其后的发 展奠定了现代电子技术和信息革命的基础。 ◼ 1947年12月，巴丁﹐J.﹑W.H.布喇頓和W.肖克萊发明点接触晶体管。 ◼ 1949年肖克莱提出pn结理论 ，也称为理想pn结的肖克莱方程： j=js (eqv/kt-1) 其中j=q(np0Dn /Ln+pnDp /Lp ). 1957年，克罗默指出有导电类型相反的两种半导体材料制成 异质结，比同质结具有更高的注入效率。 1962年，Anderson提出了异质结的理论模型，他理想的假定 两种半导体材料具有相同的晶体结构，晶格常数和热膨胀系数，基本说明 了电流输运过程。 1968年美国的贝尔实验室和苏联的约飞研究所都宣布做成了GaAsAlxGa1-xAs双异质结激光器。 ◼ 在70年代里，液向外延(LPE)，汽相外延(VPE)，金属有机化学 气相沉积(MO-CVD)和分子束外延(MBE)等先进的材料成长方法相 继出现，使异质结的生长日趋完善
理想异质结的Iv曲线 2/mA 0040.81.2 4
理想异质结的I-V曲线