43影响化学位移的因素 凡影响电子云密度的因素都将影响化学位移。其 中影响最大的是:诱导效应和各向异性效应
4.3 影响化学位移的因素 凡影响电子云密度的因素都将影响化学位移。其 中影响最大的是：诱导效应和各向异性效应
4.3.1诱导效应 元素的 ,通过诱导效应,使H核的核外电子 云密度↓,屏蔽效应↓, 例如 高场 低场 一CH3 CH3 ch2 I Hh Ha -CH2 l TMS 屏蔽效应:Hb>Ha 8.07.06.05.04.03.02.01.00 PPm
元素的电负性↑，通过诱导效应，使H核的核外电子 云密度↓，屏蔽效应↓，共振信号→低场。例如： C C Hb Ha I β α 屏蔽效应： Hb Ha 高 场 低 场 4.3.1 诱导效应
CH3-OH TMS 低场 C-0—Hb 8.07.06.05.04.03.02.01.00 8/ PPm 4.3.2化学键的各向异性 1.双键碳上的质子 烯烃双键碳上的质子位于丌键环流电子产生的感生 磁场与外加磁场方向一致的区域(称为去屏蔽区),去 屏蔽效应的结果,使烯烃双键碳上的质子的共振信号移
4.3.2 化学键的各向异性 1. 双键碳上的质子 烯烃双键碳上的质子位于π键环流电子产生的感生 磁场与外加磁场方向一致的区域（称为去屏蔽区），去 屏蔽效应的结果，使烯烃双键碳上的质子的共振信号移 C Ha Hb 高 场 低 场 屏蔽效应： Ha Hb O
向稍低的 其δ=4.5~5.7 丌电子诱导环流 咸兀电子诱导环流 应磁场 H 感应磁场 0 外磁场 外磁场 同理,羰基碳上的H质子与烯烃双键碳上的H质子 相似,也是处于去屏蔽区,存在去屏蔽效应,但因氧原 子电负性的影响较大,所以,羰基碳上的H质子的共振 信号出现在更低的磁场区,其8=94~10
向稍低的磁场区，其 δ = 4.5～5.7。 同理，羰基碳上的H质子与烯烃双键碳上的H质子 相似，也是处于去屏蔽区，存在去屏蔽效应，但因氧原 子电负性的影响较大，所以，羰基碳上的H质子的共振 信号出现在更低的磁场区，其δ=9.4～10
2.三键碳上的质子: 碳碳三键是直线构型,丌 电子云围绕碳碳σ键呈筒型分 布,形成环电流,它所产生的 感应磁场与外加磁场方向相反, 故三键上的H质子 屏蔽效应较强,使三键上H质 子的共振信号移向较高的场 区,其8=2~3
2.三键碳上的质子： 碳碳三键是直线构型，π 电子云围绕碳碳σ键呈筒型分 布，形成环电流，它所产生的 感应磁场与外加磁场方向相反， 故三键上的H质子处于屏蔽区， 屏蔽效应较强，使三键上H质 子的共振信号移向较高的磁场 区，其δ= 2～3