静态RAM存储单元(SRAM) DD 六管NMOS存储单元 B 线与 Y D D D T1,T3构成一个NMOS反相器 B B为输入,A为输出 T2,T4构成一个NMOS反相器 A D B A为输入,B为输出
静态RAM存储单元(SRAM) 六管NMOS存储单元 Y X T3 T4 T1 T2 T5 T6 T7 T8 D D A B T1,T3构成一个NMOS反相器 B为输入，A为输出 T2,T4构成一个NMOS反相器 A为输入，B为输出 I O VDD B A 线与 A A B D D D D B
X触发器构成的存储单元的 内部输入输出A,B A经T5,T7连接数据线D B经T6,T8连接数据线D 行选择线X控制T5,T6 X=1时T5,T6导通 X=0时T5,T6截止 Y 列选择线Y控制T7,T8 D Y=1时T7,T8导通 Y=0时T7,T8截止 只有X,Y选择线都是高电平,内部输入、输出才和外部数 据线连接,也就是该存储单元被选中
Y X T3 T4 T1 T2 T5 T6 T7 T8 D D A B 触发器构成的存储单元的 内部输入/输出A,B A经T5,T7连接数据线D B经T6,T8连接数据线D 只有X,Y选择线都是高电平，内部输入、输出才和外部数 据线连接，也就是该存储单元被选中。 行选择线X控制T5,T6 X=1时T5,T6导通 X=0时T5,T6截止 列选择线Y控制T7,T8 Y=1时T7,T8导通 Y=0时T7,T8截止
CMOS六管存储单元 原理与NMOS六管静态 存储单元类似: B,以CMOS反相器的原理 用T1~T4构成一个基本 RS触发器,其中T1,T3 构成一个CMOS反相 器,T2,T4构成另一个。 其他MOS管构成连接控 制
CMOS六管存储单元 原理与NMOS六管静态 存储单元类似： 以CMOS反相器的原理 用T1~T4构成一个基本 RS触发器，其中T1,T3 构成一个CMOS反相 器,T2,T4构成另一个。 其他MOS管构成连接控 制
静态存储单元存储数据依据触发器自锁的原理,利用触发器 保存数据,所以数据是非破坏性读出,一次写入,可以反复 读出,对存储的数据没有反作用。写入时,只要在DD上加 上反相的信号,就可以引起触发器的翻转,实现数据写入。 动态存储单元(DRAM) 静态存储单元功耗高,体积大,(行选择线 存储 大容量存储器一般都采用动态 T 元 存储单元 存储依赖电容存储电荷 位 线: 读出过程中:电容C上若充 有足够电荷,其电压足够使 写入刷 新控制「 T2导通,输出线D上就得到 低电平0,否则得到1。 写入过程就是给电容 Y(列选择线) 充电和放电的过程。 图8.1.2三管动态存储单元
静态存储单元存储数据依据触发器自锁的原理，利用触发器 保存数据，所以数据是非破坏性读出，一次写入，可以反复 读出，对存储的数据没有反作用。写入时，只要在D/D上加 上反相的信号，就可以引起触发器的翻转，实现数据写入。 动态存储单元(DRAM) 静态存储单元功耗高，体积大， 大容量存储器一般都采用动态 存储单元 读出过程中：电容C上若充 有足够电荷，其电压足够使 T2导通，输出线DO上就得到 低电平0，否则得到1。 写入过程就是给电容 充电和放电的过程。 存储依赖电容存储电荷