结论: 1. IE=Ic+IB C AI c)1 I,△I B B AI 常数 B 4 B 3.I=0,I ,C CEO 4.要使晶体管放大,发射结必须正偏,电结必须 反偏
(1-6) 结论: 1. IE=IC+IB = =常 数 = B C B C B C B C ΔI ΔI I I 1 ΔI ΔI I I 2. 3. IB=0, IC=ICEO 4.要使晶体管放大,发射结必须正偏,集电结必须 反偏
二。电流放大原理 发射结正 偏,发射 区电子不 基区空穴 断向基区 向发射区 扩散,形 的扩散可 成发射极 忽略。 电流lE 进入P区的电子 BE 少部分与基区的 空穴复合,形成 E 电流BE,多数 扩散到集电结
(1 - 7 ) 二. 电流放大原理B EC NNP EB RB E C IE 基区空穴 向发射区 的扩散可 忽略。 进入 IBE P区的电子 少部分与基区的 空穴复合，形成 电流IBE ，多数 扩散到集电结。 发射结正 偏，发射 区电子不 断向基区 扩散，形 成发射极 电流IE
I=lcE+ICBONICE C 从基区护 集电结反偏,少 散来的电 子形成的反向电 子作为集 流I CBO E CBO° 电结的少 P子,漂移 进入集电 BE R 结而被收 B 集,形成 E E CE B
(1-8) B E C N N P EB RB EC IE 集电结反偏，少 子形成的反向电 流ICBO。 ICBO IC =ICE+ICBOICE IBE ICE 从基区扩 散来的电 子作为集 电结的少 子，漂移 进入集电 结而被收 集，形成 ICE