硅和猪的共价键结构 以 A 共价键共 +4 +4 +4示除 5气飞用电子对 去价电子 +4 +4 后的原子 y<∮
(1-6) 硅和锗的共价键结构 共价键共 用电子对 +4 +4 +4 +4 +4表示除 去价电子 后的原子
形成共价键后。每个原子的最外层电子是 个,构成稳定结构 w∞ ●6● X共价键有很强的结合力,使原子规 a则排列,形域晶 KQIK(Ix\ 共价键中的两个电子被紧紧束在共价键中,称为 東缚电子,常温下東缚电子很难脱髙共价鍵成为自 由电子,因此本征半导体中的自由电子很少,所以 本征半导体的导电能力很弱
(1-7) 共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为 束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自 由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以 本征半导体的导电能力很弱。 形成共价键后，每个原子的最外层电子是 八个，构成稳定结构。 共价键有很强的结合力，使原子规 则排列，形成晶体。 +4 +4 +4 +4
本征半导体的导电机理 1.敢流子、自由电子和空穴 在绝对0度(T0K)和没有外界激发时,价电 子完全被共价键朿缚着,本祈半导体中没有可 以运动的带电粒子(即敢流子),它的导电能 力为0,相当于绝体。 在常温下,由于热激发,使一些价电子获 得足够的能量而脱髙失价鍵的東缚。成为自由电 子,同时共价鍵上留下一个空位,称为空穴
(1-8) 二、本征半导体的导电机理 在绝对0度（T=0K）和没有外界激发时,价电 子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可 以运动的带电粒子（即载流子），它的导电能 力为 0，相当于绝缘体。 在常温下，由于热激发，使一些价电子获 得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电 子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。 1.载流子、自由电子和空穴
空穴 +4 自由电子 +4 +4 八xp<5多 束缚电子
(1-9) +4 +4 +4 +4 空穴 自由电子 束缚电子
2.本征半导体的导电机理 本祈半导体中存在数量相等的两种敦流孑。即 自由电子和空穴。 在其它力的作用下, < 空穴吸引附近的电子 +4 +4 來填钋,这样的结果 颜题相当于空丸的迁移, 而血穴的迁移相当于 +4 4 正电荷的移动,因此 八<5 可以认为血穴是敢流 子
(1-10) 2.本征半导体的导电机理 +4 +4 +4 +4 在其它力的作用下， 空穴吸引附近的电子 来填补，这样的结果 相当于空穴的迁移， 而空穴的迁移相当于 正电荷的移动，因此 可以认为空穴是载流 子。 本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即 自由电子和空穴